초록 ▼

유연한 전자기기에 대한 세계적 관심과 수요는 크게 증대된 반면, 실리콘과 같은 무기 반도체 기반의 소자를 유연한 기판 상에서 구현하는 것이 어려워 기술 개발 수준이 아직 상용화 단계에 이르지 못하고 있음. 새로운 구조의 무기 반도체 소자의 개발 및 공정 개발을 통해 비용을 절감하고 양산성을 높이는 노력이 필요함. 기존 박막 트랜지스터를 나노와이어 기반의 무접합 트랜지스터로 대체할 경우, 벌크 웨이퍼 기반의 접합 트랜지스터에 비견되는 고성능과 함께 나노와이어 의 유연함까지 갖춰 유연한 전자기기 제작에 매우 유용할 것으로 기대되나, 지

유연한 전자기기에 대한 세계적 관심과 수요는 크게 증대된 반면, 실리콘과 같은 무기 반도체 기반의 소자를 유연한 기판 상에서 구현하는 것이 어려워 기술 개발 수준이 아직 상용화 단계에 이르지 못하고 있음. 새로운 구조의 무기 반도체 소자의 개발 및 공정 개발을 통해 비용을 절감하고 양산성을 높이는 노력이 필요함. 기존 박막 트랜지스터를 나노와이어 기반의 무접합 트랜지스터로 대체할 경우, 벌크 웨이퍼 기반의 접합 트랜지스터에 비견되는 고성능과 함께 나노와이어 의 유연함까지 갖춰 유연한 전자기기 제작에 매우 유용할 것으로 기대되나, 지름 5~20 nm 수준의 단결정 실리콘 나노와이어를 대면적으로 양산할 수 있는 현실적인 생산기술이 부재한 실정임. 따라서, 저렴한공정기술에기반한유연한무접합트랜지스터의개발이절실히필요함.
본 연구팀은 자기 조립 기반의 초미세 패터닝 기술을 이용하여 지름 20 nm 이하 수준의 단결정 실리콘 나노와이어 (Nanowire)의 대면적 양산 기술을 개발하고, 유연한 기판으로의 전사프린팅 (Transfer printing) 기술을 개발하였음. 또한 제작한 단결정 실리콘 나노와이어를 채널로 이용한 고성능의 전계 효과 트랜지스터를 제작함.

Abstract ▼

Ⅳ. Results
The research team has developed a new strategy for a mass production of single crystal silicon nanowires (diameters less than 20 nm) using high-resolution pattering technology based on self-assembly. The high-performance field effect transistor (FET) using the fabricated silicon nanowi

Ⅳ. Results
The research team has developed a new strategy for a mass production of single crystal silicon nanowires (diameters less than 20 nm) using high-resolution pattering technology based on self-assembly. The high-performance field effect transistor (FET) using the fabricated silicon nanowires as channels was also demonstrated.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 보고서 초록 ... 3
• 요약문 ... 4
• SUMMARY ... 5
• CONTENTS ... 6
• 목차 ... 7
• 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 8
• 제 1 절 유연한 (flexible) 정보기기 기술 개발의 필요성 ... 8
• 제 2 절 실리콘 나노와이어 기반의 유연한 무접합 트랜지스터 개발의 필요성 ... 10
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 12
• 제 1 절 국내 실리콘 나노와이어 제작 기술 ... 12
• 제 2 절 해외 나노와이어 제작 기술 ... 12
• 제 3 절 해외 전사 프린팅 기술 ... 12
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 14
• 제 1 절 프린팅을 통한 초미세 마스크 패턴의 형성 ... 14
• 제 2 절 건식 식각 공정을 통한 단결정 실리콘 나노와이어의 제조 ... 17
• 제 3 절 제조된 나노와이어의 다양한 기판으로의 전사 기술 개발 ... 21
• 제 4 절 전사된 나노와이어를 채널로 이용한 전계 효과 트랜지스터의 제작 및 특성 평가 ... 23
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 25
• 제 1 절 목표 달성도 ... 25
• 제 2 절 관련분야에의 기여도 ... 25
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 27
• 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 29
• 제 1 절 해외 나노 와이어 제작 기술 ... 29
• 제 2 절 해외 전사 프린팅 기술 ... 29
• 제 7 장 참고문헌 ... 30
• 끝페이지 ... 31