초록 ▼

□ 개발목표
계획
8in. 사파이어 웨이퍼 양면 폴리싱 장비 개발
- Double side Diamond Mechanical Polishing 장비 개발
- 대구경 Copper plate 평탄화를 위한 Facing Unit 개발
- Double side Chemical Mechanical Polishing 장비 개발
실적
사파이어웨이퍼 폴리싱을 위한 양면 DMP, CMP 장비 개발 완료

□ 정량적 목표항목 및 달성도
8in. 웨이퍼
TTV : 계획(10㎛ 이하), 실적(6

□ 개발목표
계획
8in. 사파이어 웨이퍼 양면 폴리싱 장비 개발
- Double side Diamond Mechanical Polishing 장비 개발
- 대구경 Copper plate 평탄화를 위한 Facing Unit 개발
- Double side Chemical Mechanical Polishing 장비 개발
실적
사파이어웨이퍼 폴리싱을 위한 양면 DMP, CMP 장비 개발 완료

□ 정량적 목표항목 및 달성도
8in. 웨이퍼
TTV : 계획(10㎛ 이하), 실적(6.9)
BOW : 계획(15㎛ 이하), 실적(10.0)
WARP : 계획(25㎛ 이하), 실적(21.3)
Roughness : 계획(0.2㎚ 이하), 실적(0.2)
Scratch : 계획(없음), 실적(없음)
DMP
정반평탄도 : 계획(10㎛ 이하), 실적(10 이하)
압력제어 분해능 : 계획(1kg), 실적(1)
압력편차 : 계획(10kg), 실적(10)
가공량 : 계획(42㎛/h 이상), 실적(45)
동시가공수량 : 계획(15장), 실적(8in.-5장, 6in-20장)
CMP
정반평탄도 : 계획(10㎛ 이하), 실적(10)
압력제어 분해능 : 계획(1kg), 실적(1)
압력편차 : 계획(10kg), 실적(10)
가공량 : 계획(2.5㎛/h 이상), 실적(2.9)
동시가공수량 : 계획(15장), 실적(8in.-15장)

□ 기대효과
- 양면 DMP 세계 최초 개발
- 양면 DMP 정반 평탄용 Facing 장치 개발
- 사파이어 웨이퍼 양면 폴리싱 공정 개발
- 단면 공정 대비 본딩 작업이 없어 생산성 향상
- 현장테스트 성공으로 남품 실적 있음
- 해외 메이저 업체 대비 우수한 가공성능 확보

□ 적용분야
- LED 공정용 Base material인 사파이어 웨이퍼 가공 공정에 적용
- 사파이어와 같은 난삭재 웨이퍼인 SiC 웨이퍼의 가공 공정에 적용이 가능
- Grinding-Lapping-CMP-DMP 일괄라인 구축으로 사파이어 웨이퍼 공정 관련 장비 대응가능
- 양면 공정이 필수인 스마트폰용 커버글라스가 사파이어로 대체되는 분위기

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 중소기업 기술개발사업 최종보고서 ... 2
• 제출문 ... 3
• 요약서(초록) ... 4
• 목차 ... 5
• 제1장 개발기술의 개요 ... 6
• 1. 대상기술의 개요 ... 6
• 2. 개발 필요성 ... 9
• 제2장 개발목표 및 개발내용 ... 10
• 제1절 기술개발 목표 ... 10
• 제2절 세부 개발내용 및 방법 ... 12
• 1. DMP Copper plate facing unit 설계 및 제작 ... 12
• 2. DMP, CMP 요소기술 개발 및 설계 ... 16
• 3. 미세가공 압력제어 모듈 개발 ... 23
• 4. 두께측정기술 개발 ... 28
• 5. 대형 정반 열변형 방지 기술 개발 ... 29
• 6. 자동화 장치 대응 가능 설계(웨이퍼 자동 Loading/Unloading) ... 31
• 7. DMP, CMP 장비 제작 ... 32
• 8. 대형 정반 평탄화 기술 ... 36
• 9. 제어시스템 개발 ... 37
• 10. 사파이어 웨이퍼 가공 테스트 ... 42
• 11. 평가항목 결과표 ... 52
• 제3장 성과요약 및 기대효과 ... 56
• 1. 핵심 개발성과 ... 56
• 2. 개발기술을 적용한 제품화, 양산·마케팅 전략 ... 56
• 부록 ... 57
• 주요도면 ... 69
• 끝페이지 ... 79