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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광주과학기술원 Gwangju Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 조지영 |
참여연구자 | Alexander Demkov , 이병근 , 함문호 , 이상한 , 고기영 |
보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2015-10 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 KA |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201600001215 |
과제고유번호 | 1711027166 |
DB 구축일자 | 2016-05-14 |
키워드 | 다중 유전율,로직 소자,유전체,저전력,메모리,반도체,멤커패시터electrically modulated permittivity,logic device,dielectric,low power,memory,semiconductor,memcapacitor |
[1단계] 응용분야/기술개발 범위 구체화
○ 다중 유전율 소재를 적용하기 위한 응용분야 (로직, 메모리, 센서 등) 도출 및 기술개발 범위 구체화
○ 다중 유전율 소재 개발 현황 및 경쟁기술 특허 분석
○ 기술개발 로드맵 및 기술개발 목표 수립
[2단계] 개발계획 수립
○ 제일원리 계산법을 이용하여 유전율 조작이 가능한 창의소재 후보군 도출
○ 유전체 나노소재합성 기술, 나노 복합체 설계 및 제작 기술 분야에서의 원천기술 확보 전략 수립
○ 새로운 연구방법론 활용 (다층구조)
3. Expected outcomes
◯ Composition of a competitive research team to conduct the research pursuing final goals Materials with electrically modulated permittivity can be used in various emerging semiconductor devices including logic and memory devices. If the materials with electrically modula
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