초록 ▼

본 선기획연구에서는 본 과제에서의 성공적인 목표 달성 및 성과 도출을 위하여 연구개발에 대한 타당성 및 목표를 제시하고 구체적인 연구의 방향과 내용을 설정함

▶ 멀티레벨 금속 단원자층 아키텍처 소재 연구개발 타당성 분석
- 멀티레벨 소자 및 소재 관련 특허분석
- 멀티레벨 소재 제조 기술수준 분석
- 기술개발 성공가능성 심층 평가
- 개발기술의 시장수요 예측
▶ 멀티레벨 금속 단원자층 아키텍처 소재 개발 연구 내용 설정
- 멀티레벨 소재 개발 세부내용 구성
- 소재 계산

본 선기획연구에서는 본 과제에서의 성공적인 목표 달성 및 성과 도출을 위하여 연구개발에 대한 타당성 및 목표를 제시하고 구체적인 연구의 방향과 내용을 설정함

▶ 멀티레벨 금속 단원자층 아키텍처 소재 연구개발 타당성 분석
- 멀티레벨 소자 및 소재 관련 특허분석
- 멀티레벨 소재 제조 기술수준 분석
- 기술개발 성공가능성 심층 평가
- 개발기술의 시장수요 예측
▶ 멀티레벨 금속 단원자층 아키텍처 소재 개발 연구 내용 설정
- 멀티레벨 소재 개발 세부내용 구성
- 소재 계산 제조 응용 예비연구를 통한 구체적인 연구내용의 구성
▶ 멀티레벨 금속 단원자층 아키텍처 소재 연구 추진안 설정
- 연구개발의 추진방법 및 체계구성
- 연구팀 구성 및 역할분담

Abstract ▼

Ⅱ. Purpose
Planning of research ideas and scope for the Development of metal-semiconductor transition materials with multi-level conductivity in order to realize multi-level devices

• [Core Purpose] Development of multi-level materials for multi-level devices
• [Qualitative Purpose] Pla

Ⅱ. Purpose
Planning of research ideas and scope for the Development of metal-semiconductor transition materials with multi-level conductivity in order to realize multi-level devices

• [Core Purpose] Development of multi-level materials for multi-level devices
• [Qualitative Purpose] Plan and Development of 3D materials with multi-level conductivity controlled by external electric field

Ⅲ. Contents
[Planning of metal-semiconductor transition materials with multi-level conductivity by using computational material science]
• Planning the research on the metal-semiconductor transition materials with multi-level conductivity controlled by external signals
• Planning the material architectures containing metal monolayers and organic molecular layers
• Planning the metal monolayer architectures composed 01 various metal-semiconductor and combination
• Planning the computation and simulation of various metal-semiconductor transition materials and selection potential candidates

[Development of 3D materials containing metal atomic monolayer by using novel combinational methods]

• Planning thc development of sequential vapor deposition(SVD) for multi-layered of metal monolayer and chalcogen organic molecular layer
• Planning the production 01 met~ùsemiconductor transition materials optimized by novel vapor chemical combinatorial methods
• Planning the fabrication 01 metal-semiconductor transition materials with multi-level conductivity controlled by electric field

[Realization and proof of multi-level devices]
• Planning thc fabrication and characterization of multi-level devices using metal monolayer architectures
• Planning thc realization and proof of multi-level logic circuits

Ⅳ. Expected Contribution
• Establishment 01 stable multi-level logic circuits working at room temperature
• Overcoming 01 limitation presented in a field of CMOS based semiconductor devices
• Application of multi-level logic circuits, with metal monolayer architectures for various electronic systems

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요약문 ... 4
• SUMMARY ... 9
• CONTENTS ... 11
• 목차 ... 12
• 제1장 先기획연구 개요 ... 13
• 1. 先기획연구의 목적, 필요성 및 범위 ... 13
• 2. 대상 소재기술의 정의 및 개념 ... 17
• 제2장 기술개발 현황 및 조사 • 분석 ... 18
• 1. 국내 • 외 기술개발 현황 ... 18
• 2. 선행연구 조사 • 분석 및 시사점 ... 20
• 제3장 기술개발 목표 및 내용 ... 32
• 1. 원천특허 포트폴리오 ... 32
• 2. 연구개발내용 및 범위 ... 69
• 3. 기존 기술과의 차별성 및 원천성 ... 72
• 4. 국가 소재 R&D 전략과의 연계성 및 부합성 ... 73
• 5. 先연구내용 및 결과 ... 74
• 제4장 先기획연구 활동 추진 내용 ... 84
• 1. 先기획연구 추진 체계 ... 84
• 2. 先기획연구 방법론 ... 85
• 3. 先기획연구 활동 내용 ... 87
• 제5장 기대성과 및 활용 계획 ... 91
• 1. 기대성과 ... 91
• 2. 상용화 예상 분야 ... 93
• 3. 경제성 분석 ... 96
• 제6장 참고문헌(reference) ... 104
• 끝페이지 ... 107