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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-04 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201600002821 |
과제고유번호 | 1711026522 |
사업명 | 한국전자통신연구원 연구개발지원 |
DB 구축일자 | 2016-06-11 |
키워드 | 데이터센터.100G 직접변조 광원.100G 광수신기.dater center.GaN FET.GaN Diode.100G optical source.100G optical transceiver. |
◈ 차세대 에너지 절감형 반도체 원천․핵심․기반 기술 확보
⋅GaN 에피소재 원천기술 확보
⋅GaN 소자/회로 핵심기술 확보
⋅저가형 고수율 광/전 집적회로 제조공정 기반기술 확보
◈ 차세대 데이터 센터용 GaN 기반 전력반도체 시제품 개발
- GaN FET 기반 전력 소자 기술 개발
- GaN Diode 기반 전력 소자 기술 개발
- GaN Converter 개발
- GaN Inverter 개발
◈ 차세대 데이터 센터용 광케이블용 광반도체 소자 기술 개발
- SAG 기반 집적형
Results
1. Epitaxial Growth technology for power semiconductor
- Carrier concentration : 1.6x1013 /cm3 (goal : > 1.5x1013 /cm3)
- Carrier mobility : 1,530 cm2/Vs (goal : > 1500 cm2/V·s)
2. Protype transistor with 1200V
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