초록 ▼

연구는 RF-sputtering 증착 장비를 이용하여 채널층의 공정 조건에 따른 전기적 신뢰성 특성평가를 진행하였다.
○ 산화물 박막 TFT는 SiO2(200nm)/p-Si 기판위에 RF-sputtering 공정을 이용하여 40±10 nm 두께로 성장하였으며, TFT 제작을 위해 산화물박막은 일반적으로 사용되는 AZ5214/AZ1512를 이용한 포토 리소그래피 공정과 1 % HCL 용액을 이용한 에칭 공정을 이용하여 pattering하였고, source/drain metal을 형성하기 위해 리소그래피 공정으로 전극 패턴을 형성

연구는 RF-sputtering 증착 장비를 이용하여 채널층의 공정 조건에 따른 전기적 신뢰성 특성평가를 진행하였다.
○ 산화물 박막 TFT는 SiO2(200nm)/p-Si 기판위에 RF-sputtering 공정을 이용하여 40±10 nm 두께로 성장하였으며, TFT 제작을 위해 산화물박막은 일반적으로 사용되는 AZ5214/AZ1512를 이용한 포토 리소그래피 공정과 1 % HCL 용액을 이용한 에칭 공정을 이용하여 pattering하였고, source/drain metal을 형성하기 위해 리소그래피 공정으로 전극 패턴을 형성한 후 E-beam 과 thermal 증착방식을 이용하여 Ti (15nm)/Au(45nm)증착 후 Lift-off 방식으로 제작하였다.

○ 박막의 물성적 특성을 분석하기 위해 XRD, HR-TEM, XPS 등의 분석을 하여 소자 특성과의 상관관계를 규명하였다. TFT 소자의 전기적 특성 향상을 위해 150oC에서 후 열처리 후에 특성을 평가하였다. Si 이 고용된 IZO 반도체 산화막의 전기적인 특성을 분석하였다. 150oC에서 열처리를 한 산화물을 제작하여 플라스틱기판에서도 적용이 가능하도록 만들었다. 낮은 온도임에도 불구하고 높은 이동도를 보이며, Flexible 기판위에서의 bending ratio에서도 높은 안정성을 보이는 것을 확인 할 수 있다.