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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 산학협력단 HanYang University |
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연구책임자 | 박재근 |
참여연구자 | 민병철 , 이긍원 , 김태완 , 정명화 , 조윤석 , 심태헌 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-09 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201600017872 |
과제고유번호 | 1415131591 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 수직형 STT MRAM.터널자기저항변화비.산화물터널배리어.수직자기이방성.수직자기이방성 상수.터널베리어 파괴전압.자기접합저항.p-MTJ Spin Valve.PMA.Ku.VB.RA. |
최종목표
○ p-MTJ Spin Valve의 세계최고 수준 (TMR ratio > 120 %, RA ≤ 50 Ω·㎛2, VB ≥ 1.5 V, Ku > 5 Merg/㎤)의 자기저항변화 및 터널베리어 신소재 확보 및설계 및 Etching 원천기술 확보
개발내용 및 결과
○ 세계적 수준 p-MTJ Spin-Valve 성능 확보
세계수준 : 1.2(터널베리어 파괴전압 (V)), < 20(면저항(RA)(Ω㎛2)), 120(MR Ratio(%)), > 2M(Ku(erg/㎤)
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