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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국생산기술연구원 Korea Institute of Industrial Technology |
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연구책임자 | 이흥렬 |
참여연구자 | 손성호 , 이민형 , 허진영 , 박재영 , 이창면 , 이홍기 , 임태홍 , 권상준 , 김호형 , 박성철 , 손양수 , 이동열 , 이민수 , 이운영 , 이진영 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-01 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
연구관리전문기관 | 한국생산기술연구원 Korea Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO201700003190 |
과제고유번호 | 1711047282 |
사업명 | 한국생산기술연구원연구운영비지원 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 무전해도금.전해도금.전기영동.실리콘관통전극 충전.전해구리 도금액.불용성전극.전도성 가스켓.Electroless-plating.Electro-plating.Eletrophoresis.TSV(through silicon via) filling.Electro copper electrolytes.DSE(Dimensionally stable electrode).EMI grounding gasket. |
개발의 목표
○ Pd nano-particle을 활용한 반도체 및 모바일 도금전처리용 activation layer 형성 공정 개발
- Pd nanoparticle 의 기판 흡착 평균 size : < 20 nm
- Pd nanoparticlel 의 기판 흡착 밀도 : > 200 ea/um²
- TSV 구리 충진 성능 (AR > 5) : No void
○ 전기화학적 접근을 통한 반도체용 전기 구리 도금액 개발
- 도금두께균일도 : 3% 이내 (*균일도; (최대두께-최소두께)/평균/2)
- 표면조도
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