초록 ▼

□ 최종목표
광출력 : 100W,
발진파장 : 970 ± 5 nm
동작전류 : 15A 이하
동작전압 : 30V 이하

□ 개발내용 및 걸과
고출력 레이저 다이오드 애피웨이퍼 설계 및 박막성장 기술개발,
칩공정 및 벽개면 보호코팅 및 HR/AR 코팅 기술개발，
효율적 열방출 위한 AIN submount 제작 및 플립칩 본딩 기술개발,
FAC/SAC 레즈 광정렬 패키지 기술 개발하여 100W 광모듈 개발

□ 기술개발 배경
고출력 산업용 레이저 중에서 반도체 레이저에

□ 최종목표
광출력 : 100W,
발진파장 : 970 ± 5 nm
동작전류 : 15A 이하
동작전압 : 30V 이하

□ 개발내용 및 걸과
고출력 레이저 다이오드 애피웨이퍼 설계 및 박막성장 기술개발,
칩공정 및 벽개면 보호코팅 및 HR/AR 코팅 기술개발，
효율적 열방출 위한 AIN submount 제작 및 플립칩 본딩 기술개발,
FAC/SAC 레즈 광정렬 패키지 기술 개발하여 100W 광모듈 개발

□ 기술개발 배경
고출력 산업용 레이저 중에서 반도체 레이저에 의해 펌핑되는 고체 레이저화 광섬유 레이저가 기존의 C02 레이저나 램프 어기의 solid state 레이저를 대체하고 있는 추세에 있음. 반도체 레이저는 전광 에너지 변환효율이 높아 고체 레이저 및 광섬유 레이저의 여기 광원으로 널리 사용되고 있으며 고체 레이저 및 광섬유 레이저의 소형, 경량화에 기여하기 때문임.
현재 국내에시 고출력 레이저 칩은 전량 수입, 패키지 제품인 광모듈제품 또한 거의 수입에 의존하고 있어 무역 역조 현상이 심화되고 있음. 고출력 레이저도 첨단 제품이지만 이를 이용한 산업구조 고도화,신성장 산업 전반에 미치는 영향이 크기 때문에 기술개발 및 국산화가 필요하여 개발 진행함.

□ 핵심개발 기술의 의의
에피웨이퍼 성장에서 칩공성, 광정렬 패키지 기술까지 일괄 국내 기술로 개발진행 하였음. 특히 고출력 칩의 벽개면의 일화로 인한 출력 한계점을 극복한 보호막 코팅 기술을 개발은 앞으로 고출력 레이저 칩 국산화에 중요기술이라 할수 있음. 또한 FAC/SAC 광정렬 집광기술 개발로 모듈 단계의 광출력을 올릴 수 있는 기술을 확보하였음. 이를 활용한 광모듈 개발은 내수 시장의 수입대체 및 수출증대에 기여할 것으로 기대됨. 뿐만 아니라 국내 고출력 레이저 광산업의 선순환 구조를 만들어 낼 것으로 기대됨.

□ 적용 분야
고출력 레이저는 활용분야로 자동차 조선, 항공 분야 뿐만 아니라 미세 가공이 필요한 IT 부품,반도체 태양광 산업의 기반 가공 및 평판 디스플레이 제조등에 확대 작용되고 았음. 또한 바이오 의료분야로도 활용도가 높아지고 있음.

( 출처 : 초록 5p )

목차 Contents

• 표지 ... 1산단R&BD역량강화사업 지원사업 최종보고서 ... 2제 출 문 ... 3산단R&BD역량강화사업 최종보고서 초록 ... 4기술개발사업 주요 연구성과 ... 8목차 ... 11제 1 장 서론 ... 12 제 1 절 과제의 개요 ... 12제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과(기술개발 내용 및 방법) ... 14 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 14 제 2 절 개발 내용 및 개발 범위 ... 15 제 3 절 수행 결과의 보안 등급 ... 34 제 4 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등)구입 및 관리 현황 ... 35제 3 장 결과 및 사업화 계획 ... 36 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 36 1. 연구개발 추진 일정 ... 36 2. 연구개발 추진 실적 ... 36 3. 기술개발 결과의 유형 및 무형 성과 ... 37 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 38 1. 시술개발팀 편성표 ... 38 2. 각 기관별 기술개발 내용 ... 38 3. 추진체계 ... 39 제 3 절 시장현황 및 사업화 전망 ... 39 제 4 절 고용 창출 효과 ... 40 제 5 절 자체보안관리진단표 ... 41끝페이지 ... 41