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나노 전자원 기술 연구
The study on the technology of nano electron-source 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 송윤호
참여연구자 정진우 , 최영철 , 강준태 , 김재우 , 박소라 , 전효진 , 고은솔 , 이정웅 , 연지환 , 김성희 , 이철진
보고서유형연차보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2016-12
과제시작연도 2016
주관부처 미래창조과학부
Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호 TRKO201700008848
과제고유번호 1711047491
사업명 한국전자통신연구원연구운영비지원
DB 구축일자 2017-11-04
키워드 탄소나노튜브.전계방출 전자원.엑스선 소스.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201700008848

초록

Ⅳ. 연구결과
초고밀도 나노 전자원 및 신개념 행렬-어드레싱형 엑스선 소스 연구를 수행하여 다음과 같은 우수한 연구결과를 도출하였다.

2D 나노물질인 그래핀을 진공 고온 열처리를 통해 게이트 개구 위에 전사하는 기술을 개발하여 전자투과형 자기집속 게이트(ETANG : Electron transmissive atomic network gate)를 개발하였으며, 진공 고온 전사 과정에서 재료의 열변형에 의한 게이트 파손을 줄여 제작 수율 100% 달성이 가능한 기술을 개발하였다. 이를 이용하여 전자빔의 퍼짐 현상을 큰

Abstract

Ⅳ. RESULTS
We have studied on the ultra-high current density nano-electron source and new-concept matrix-addressable X-ray source, and achieved meaningful results, as follows.

We developed a dry transfer technology of 2D graphene using vacuum annealing technique, and then fabricated the el

목차 Contents

  • 표지 ... 1세부과제 연차실적 보고서 ... 2제출문 ... 3요약문 ... 4ABSTRACT ... 9CONTENTS ... 15Tables ... 18Figures ... 19목차 ... 26표목차 ... 29그림목차 ... 30제 1 장 서 론 ... 35 제 1 절 연구 목표 ... 35 제 2 절 연구 내용 ... 35 제 3 절 연구 개발 방법 ... 36 제 4 절 보고서 체계 ... 37제 2 장 본 론 (Ⅰ) ... 38 제 1 절 연구개발과제의 필요성 ... 38 1. 배경 및 필요성 ... 38 2. 연구 과제의 중요성 ... 39 3. 연구 과제 수행의 제약 요인 ... 41 4. 연구개발과제 수행결과 기대효과 ... 42 제 2 절 현황 및 접근 방법 ... 44 1. 국내·외 현황 ... 44 2. 연구 과제의 핵심요소 및 접근방법 ... 50제 2 장 본 론 (Ⅱ) ... 52 제 1 절 연구 목표 및 내용 ... 52 1. 최종 연구개발 목표 및 내용 ... 52 2. 당해연도 연구개발 목표 및 내용 ... 53 제 2 절 연구추진계획 및 성과 ... 54 1. 연구 추진 계획 ... 54 2. 연구 성과 ... 55 3. 연구 결과의 개요 ... 59 제 3 절 연구결과 ... 61 1. 1D/2D 나노물질 기반 고밀도 전자원 연구 ... 61 2. 신개념의 행렬-어드레싱형 엑스선 소스 제작 및 평가 ... 119 제 4 절 연구산출물 ... 138제 3 장 연구개발결과의 활용계획 ... 158제 4 장 결 론 ... 160제 5 장 연구시설ㆍ장비 현황 ... 162참고문헌 ... 163약어표 ... 165끝페이지 ... 166

표/그림 (78)

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참고문헌 (25)

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