[보고서]광/RF 융합소자 기반의 차세대 국방부품 플랫폼 개발

권용환

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광/RF 융합소자 기반의 차세대 국방부품 플랫폼 개발
Plat form Development of Next Generation National Defense Device Based on Optics/RF Convergence Device 원문보기

보고서 정보
주관연구기관	한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자	권용환
참여연구자	남은수 , 김덕준 , 문재경 , 이상흥 , 김기수 , 김성일 , 민봉기 , 심재식 , 안호균 , 오명숙 , 윤천주 , 성기준
보고서유형	최종보고서
발행국가	대한민국
언어	한국어
발행년월	2010-12
과제시작연도	2010
주관부처	미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호	TRKO201700009489
과제고유번호	1415113297
사업명	한국전자통신연구원연구운영비지원
DB 구축일자	2017-11-04
DOI	https://doi.org/10.23000/TRKO201700009489

초록

Ⅳ. 연구결과
X-대역 GaN 전력소자 개발
- 동작주파수 10GHz 대역의 출력전력 2Watt 이상의 GaN 전력소자 확보

국방용 초고감도 광검출기 시험제작 및 검증 환경 셋업
- 이득 10 이상의 레이저레이다용 고감도 광검출기 소자 확보
- 레이저레이다 탐지거리 45m 확보
- 단일광자검출을 위한 연구장비 구축
- 테스트베드 아키텍처 설계 및 구현

( 출처 : 요약문 7p )

Abstract ▼

Ⅳ. RESULTS
A. Development of X-band GaN power device
- Operating frequency ~ 10 GHz
- Output power > 2 W

B. Fabrication of high sensitivity photodiode for military and setup for performance verification
- Gain : M > 10 @ 1.55 μam
- Detection range ~ 45 m
- Test bed construct

목차 Contents

표지 ... 1
제 출 문 ... 2
요 약 문 ... 3
ABSTRACT ... 8
CONTENTS ... 13
TABLES ... 14
FIGURES ... 15
목차 ... 18
표목차 ... 19
그림목차 ... 20
제 1 장 서 론 ... 23
제 2 장 X-대역 GaN 전력소자 개발 ... 27
제 1 절 서론 ... 29
제 2 절 GaN 전력소자 단위공정 개발 ... 30
제 3 절 GaN HEMT 전력 소자 개발 ... 42
제 4 절 GaN HEMT 전력소자 모델링 ... 58
제 5 절 결론 ... 67
제 3 장 3차원 영상획득을 위한 레이저 레이다 ... 69
제 1 절 서론 ... 71
제 2 절 InGaAs/InP 광검출기 어레이 기술 개발 ... 73
제 3 절 3차원 레이저 레이더 기술 개발을 위한 테스트 베드 ... 81
제 4 절 결 론 ... 88
제 4 장 결 론 ... 91
참 고 문 헌 ... 95
약 어 표 ... 97
기술문서 구성표 ... 98
끝페이지 ... 104

표/그림 (59)

표 GaN HEMT 에피웨이퍼에서 4 종류의 Ohmic metal 구조를 나타내는 Map
표 열처리한 Ohmic metal 의 표면상태
표 구조변화에 따른 Ohmic metal 의 contact resistance 와 sheet resistance
표 ICP dry etching 후 기판표면 SEM 사진
표 ICP-RIE power 조건 변화에 따른 DC bias 변화
표 Gate recess 전 /후 GaN HEMT 소자의 DC 특성 비교
표 Gate recess 전 후 GaN HEMT 소자의 DC 특성
표 Loping 공정
표 Polishing 공정
표 SiC wafer
표 Si wafer
표 X- 대역 전력소자 공정에 GaN HEMT wafer 의 Epi. 구조
표 X- 대역 전력소자 공정의 흐름도
표 X- 대역 전력소자 제작 공정이 완료된 GaN wafer
표 X- 대역 전력소자 제작 공정의 단계별 상세도
표 X- 대역 전력 소자 (AlGaN/GaN/SiC, 0.25 ㎛ x 2 x 70 ㎛，Device ID： XO140) 의 Gate voltage 에 따른 Transoncuctanc 및 Drain Current 특성
표 X- 대역 전력소자(AlGaN/GaN/SiC, 0.25 ㎛ x 2 x 70 ㎛ ) 의 I-V 특성
표 X-대역 전력소자(AlGaN/GaN/Si, 0.25 ㎛ x 2 x 70 ㎛, Device ID： XO140)의 Gate voltage 에 따른 Transoncuctanc 및 Drain Current 특성
표 X-대역 전력소자(AlGaN/GaN/Si, 0.25 ㎛ x 2 x 50 ㎛)의 Gate voltage 에 따른 Transoncuctanc 및 Drain Current 특성
표 X- 대역 전력소 자 (AlGaN/GaN/Si, 0.25 ㎛ x 2 x 50 ㎛ ) 의 I-V 특성
표 X-대역 전력소자(AlGaN/GaN/Si, 0.25 ㎛ x 2 x 50 ㎛)의 Cut-off frequency (fT) 및 maximum oscillation frequency(fmax) 특성
표 GaN HEMT 마스크 레이아웃
표 Field Plate에 따른 GaN HEMT 단면도
표 GaN HEMT 소자 성능 측정결과
표 GaN HEMT 전력소자 (구조 A) 사진
표 GaN HEMT 전력소자 (구조 A) 전력특성
표 GaN HEMT 전력소자 (구조 B) 사진 (Wg=800 ㎛인 소자 )
표 GaN HEMT 전력소자 (구조 B) 전력특성 (Wg=800 ㎛ )
표 GaN HEMT 전력소자(구조 C) 사진 (Wg=800 ㎛)
표 GaN HEMT 전력소자(구조 C) 전력특성 (Wg=800 ㎛)
표 GaN HEMT 소자 사진
표 GaN HEMT 소자 모델
표 GaN HEMT 소자의 I-V 특성 모델링 결과
표 모델 파라미터 추출 결과
표 측정치와 모델과의 오차
표 GaN HEMT 소자의 S- 파라미터 비교
표 GaN HEMT 소자의 S- 파라미터 비교 (Vgs=-2 V, Vds=20 V)
표 GaN HEMT 소자의 S- 파라미터 비교 (Vgs=-1 V, Vds=20 V)
표 GaN HEMT 소자의 S- 파라미터 비교 (Vgs=-3 V, Vds=30 V)
표 GaN HEMT 소자의 S- 파라미터 비교 (Vgs=-2 V, Vds=30 V)
표 GaN HEMT 소자의 S- 파라미터 비교 (Vgs=-1 V, Vds=30 V)
표 InGaAs/InP 광검출기 소자 구조
표 InGaAs/InP 광검출기의 전기장 분포
표 APD 제작 공정
표 확산 온도에 따른 증폭층의 변화
표 APD 의 Top view (a) single APD (b) 1 x 4 APD array (c) 4 x 4 APD array
표 APD 소자의 단면 SEM 사진
표 Single APD 의 I-V 특성
표 4X4 APD array 의 I-V 특성
표 1X32 APD array 의 Vph 와 Vbr의 분포
표 골드 스터드 범핑 및 코이닝 공정도 SEM 사진
표 플립칩 본딩 된 4 * 4 광 검줄기 어레이 SEM 및 단면 사진
표 플립칩 본딩 전 /후 I-V data
표 PCB 모듈 위에 실장 된 4 x 4 광 검출기 어레이와 Submount 및 ROIC 패키지 사진
표 광학계의 설계변수
표 수광 광학계
표 광 검출기 성능 측정 구성도
표 광 검출기 테스트 베드
표 45m 거리의 두 물체로부터 반사신호와 측정환경

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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