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NTIS 바로가기주관연구기관 | 명지대학교 MyongJi University |
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연구책임자 | 윤태식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-06 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700010683 |
과제고유번호 | 1711023847 |
사업명 | 신진연구자지원 |
DB 구축일자 | 2017-10-12 |
키워드 | 멤캐패시터.멤캐패시턴스.스위치 소자.아날로그형 비휘발성 기억소자.이온 분포 제어.나노입자.Memcapacitor.Memcapacitance.Switch device.Analog-type nonvolatile memory.Control of ionic distribution.Nanoparticles. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700010683 |
□ 연구의 목적 및 내용
□ 금속 산화물 박막과 나노입자 자기조립의 멤캐패시턴스 특성 연구
□ 금속 산화물 박막과 나노입자 내부의 이온 분포 제어를 통한 유전상수 및 캐패시터 유효 두께의 변화에 의한 멤캐패시터 구현
□ 적층형 게이트 산화막의 멤캐패시터 적용을 통한 MOSFET 특성, 스위치와 아날로그형 비휘발성 기억 소자 연구
□ 연구결과
□ 멤캐패시터 산화물(HfOx) 박막 증착과 전극재료에 따른 멤캐패시터 특성 연구
: Al,Mo/HfOx/Si MOS 구조에서 전극과 HfOx 박막 사이의
□ Purpose&contents
□ Memcapacitance characteristics of thin film and self-assembly of metal-oxide nano-materials
□ Memcapacitor device with variable permittivity and effective thickness of capacitor by controlling ionic distribution in metal-oxide materials
□ Analog-type and MOSFET-based no
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