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AlGaN/GaN 이종접합 구조를 이용한 이중 파장 검출 자외선 센서 개발
Development of Dual Wavelength Detection Ultraviolet Sensor using AlGaN/GaN Hetero-junction Structure 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 경북대학교
KyungPook National University
연구책임자 함성호
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2016-05
과제시작연도 2015
주관부처 미래창조과학부
Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호 TRKO201700014079
과제고유번호 1345237456
사업명 이공학개인기초연구지원
DB 구축일자 2017-11-18
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201700014079

초록

○ MSM 및 MISIM 구조의 자외선 센서 제작 및 특성 비교
암전류를 줄이고 가시광 차단비를 향상시키기 위해 AlGaN과 쇼트키 전극인 Ni 사이에 얇은 Al203 유전체를 삽입하여 MISIM 센서를 제작하였다. 그 결과, MSM 센서 대비 암전류 밀도가 5.0 × 10-9 A/cm2으로 낮아지고 F-N 터널링이 시작되는 전압도 9 V로 증가하였다. 또한 GaN과 관련된 자외선응답에서 매우 향상된 가시광 차단비를 보이며 차단파장(cut-off wavelength) 또한 10 V 이상과

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 목차 ... 3
  • I. 연구결과 요약문 ... 4
  • II. 연구내용 및 결과 ... 5
  • 1. 연구과제의 개요 ... 5
  • 2. 국내외 기술개발 현황 ... 5
  • 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 5
  • 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ... 7
  • 5. 연구결과의 활용계획 ... 7
  • 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 7
  • III. 연구성과 ... 8
  • 끝페이지 ... 12

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