초록 ▼

• III족 비소계 이종접합 구조 나노선 기반의 태양전지 개발
- InAsyPw 나노선 대면적 합성기술 개발
- 조성제어를 통한 나노선의 형성 제어
- Base와 tip부분의 조성이 균일한 InGaAs 나노선 합성
- 12.22%의 에너지 변환 효율을 가지는 단일 InAsyP1-y 나노선 태양전지 개발
• III족 질화물 나노막대 이종구조를 이용한 저비용/고효율 나노막대 태양전지
- InGaN/ZnO 이종구조 제조: 에피 성장 방법을 통하여 동축 구조로 이종구조 제조
- 비촉매 방법으로 단결정

• III족 비소계 이종접합 구조 나노선 기반의 태양전지 개발
- InAsyPw 나노선 대면적 합성기술 개발
- 조성제어를 통한 나노선의 형성 제어
- Base와 tip부분의 조성이 균일한 InGaAs 나노선 합성
- 12.22%의 에너지 변환 효율을 가지는 단일 InAsyP1-y 나노선 태양전지 개발
• III족 질화물 나노막대 이종구조를 이용한 저비용/고효율 나노막대 태양전지
- InGaN/ZnO 이종구조 제조: 에피 성장 방법을 통하여 동축 구조로 이종구조 제조
- 비촉매 방법으로 단결정 InN 나노막대 성장
- InGaN 활성층이 들어간 나노막대 태양전지 제조
- 그래핀 상에서 InGaN/ZnO, GaN/ZnO 나노구조물 이종구조 선텍 성장
• 텐덤셀용 고투명/고효율 염료감웅 태양전지 개발
- 선택적 파장 투과형 전극 설계 기술 개발: 염료감응태양전지의 구조 및 핵심소 재를 광투과에 유리한 구조로 개발.
- Bottom cell (III-V)의 광흡수를 고려한 염료선택 및 셀 설계 一 적층형 태양전지의 접합 계면 특성 연구
• 염료감응 / Bottom cell 템덤형 태양전지개발 : Eff >15%
(출처: 보고서 요약서 4p)

Abstract ▼

The 1st Sub-Project
• Wafer-scale large-area synthesis of InAsyPi-y nanowires on Si wafer -Development of surface-treatment technique using PLL
-Wafer-scale uniform synthesis of InAsyPi-y nanowires using MOCVD -Optical/electrical/structural analysis InAsyPi-y nanowires
• Development of InxG

The 1st Sub-Project
• Wafer-scale large-area synthesis of InAsyPi-y nanowires on Si wafer -Development of surface-treatment technique using PLL
-Wafer-scale uniform synthesis of InAsyPi-y nanowires using MOCVD -Optical/electrical/structural analysis InAsyPi-y nanowires
• Development of InxGai-xAs nanowires with uniform composition
-It was observed that InGaAs nanowires grown by VLS mode has a tapered morphology and the composition of group-III atoms are changing from the bottom-to—tip direction.
-We successfully obtained optimal MOCVD process conditions for the fabrication of uniform-composition InGaAs in terms of synthesis temperature, optimal ration of in to V precursors.
• Fabrication InAs nanowire using control of composition.
• Process optimization of III-V nanowire solar cell
-Surface passivation technique by adopting the InP shell layer on the surface of InAsP nanowire, optimization of TCP in terms of deposition temperature/thickness/deposition angle, and optimization of RIE process -Fabrication of InAsP nanowire-based solar cell with 12.2 % conversion efficiency.

The 2nd Sub-Project
• Fabrication of solar cell structure based high-quality ni-nitride -Fabrication of catalyst-free InGaN/ZnO and InN nanorod
-Large-area and site-selective syntheses of nitride nanorod
• Synthesis of inorganic semiconductor-graphene hybrid structure
-Fabrication of soft optical device and graphene-based transparent electrode

The 3rd Sub-Project
• Development of wavelength-selective transparent DSSC
-Chemical etching of Ti〇2 photo electrode, electrolyte and optimization of precursor solution of
• Development of III-V nanowire/dye-sensitized tandem cell
-Fabrication III-V nanowire/dye- sensitized tandem cell with 11% cell efficiency

The 4d Sub-Project
• Development of damage free TCO fabrication -TCO Transmittance : > 82%
-TOO Resistivity : < 10-4Ücm
-TCP thin film uniformity : < ±10%

Generalization subject
• Fabricatioa of DCCS / Bottom cell tandem solar cell : Eff〉15%
(출처: Summary 8p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요 약 문 ... 5
• Summary ... 7
• CONTENTS ... 9
• 목차 ... 10
• 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 11
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 16
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 44
• 제 1절 1차년도 연구 결과 ... 44
• 제 2절 2차년도 연구 결과 ... 52
• 제 3절 3차년도 연구 결과 ... 58
• 제 4절 4차년도 연구 결과 ... 69
• 제 5절 5차년도 연구 결과 ... 83
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 159
• 1. 1세부과제 ... 159
• 2. 2세부과제 ... 161
• 3. 제 3세부과제 ... 165
• 4. 4세부 과제 ... 167
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 180
• 1. 1세부과제 ... 180
• 2. 2세부과제 ... 181
• 3. 3세부과제 ... 182
• 4세부과제 ... 183
• 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 186
• 1세부과제 ... 186
• 2세부과제 ... 188
• 3세부과제 ... 190
• 4세부과제 ... 192
• 제 7 장 참고문헌 ... 195
• 끝페이지 ... 200