최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 세종대학교 Sejone university |
---|---|
연구책임자 | 천승현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-10 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201800003014 |
과제고유번호 | 1711035822 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-04-14 |
키워드 | 금속칼코겐족.반데르발스 증착.반도체.2차원 구조.밴드갭 제어.계면.metal chalcogenide.van der Waals epitaxy.semiconductor.two-dimensional structure.bandgap engineering.interface. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800003014 |
□ 연구의 목적 및 내용
아직 그 잠재력이 충분히 밝혀지지 않은 2차원 반도체 금속칼코겐족을 van der Waals Epitaxy 방법으로 성장시키고, 층수 변화에 따라 밴드갭과 전하이동도 등의 물성이 어떻게 바뀌는지를 실험적으로 분석하고 이론과 비교함으로써, 층상구조를 가진 물질에 대한 이해를 확장하고 국내외적 경쟁력을 갖추고자 한다. 본 연구에서는 SnSe2 화합물의 성장에 초점을 맞추었다.
□ 연구결과
과제 기간 중에 수행된 다양한 연구를 제외하고, 가장 핵심적인 연구결과를 설명하고자 한다. 본 연구를
□ Purpose & contents
We intend to develop van der Waals epitaxy method for the growth of two-dimensional metal chalcogenides and study the thickness dependent bandgap and charge carrier mobility, thereby understand the system. Here, we focused on the growth of SnSe2 thin films.
□ Result
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.