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NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산과학기술원 Ulsan National Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 박기복 |
참여연구자 | 진한별 , 이정용 , 윤훈한 , 모규형 |
보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-06 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201800003661 |
과제고유번호 | 1711041107 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
DB 구축일자 | 2018-04-21 |
키워드 | 실리콘 카바이드.그래핀.전자빔 조사.나노와이어.나노용접.결함.스핀.SiC.Graphene.Electron Beam Irradiation.Nano Wire.Nano-Welding.Defect.Spin. |
○ SiC 박막 표면에 그래핀 형성의 촉매인 Ni 박막을 증착한 후 저전압(10 kV 이하)의 전자빔을 조사하여 SiC 박막 표면에 그래핀 에피막을 유도하였음.
○ 고전압(1 MV)의 전자빔을 조사하여 SiC 단결정 내에 전자스핀 보유 결함을 생성하고 이를 Magnetization 및 Photoluminescence 측정을 통해 확인함.
(출처 : 보고서 요약서 3p)
We have developed a new process methodology to form a graphene epilayer on the surface of a single crystal substrate or a thin film of SiC at fairly low temperature, compared with the conventional thermal annealing method in ultra high vacuum, by irradiating electron beam (e-beam) directly on the su
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