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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전남대학교 Chonnam National University |
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연구책임자 | 김하술 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-05 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800005086 |
과제고유번호 | 1711036185 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-05-05 |
키워드 | 초격자.화합물 반도체.적외선 소자.인듐비소.갈륨안티모니.양자우물.Super lattice.compound semiconductor.infrared photodiode.InAs.GaSb.Quantum confinement. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800005086 |
연구의 목적 및 내용
○ 최근 III-V 안티모나이드 물질을 기반으로 중적외선 및 장적외선 탐지를 위한 연구가 많이 추진되고 있다. 특히 이는 고순도의 GaSb 기판 웨이퍼 성장 기술의 발달에 따른 Sb 기반으로 MBE를 이용한 물질의 성장 기술발전에 따른 결과이다. 본 연구에서는 Type InAS/GaSb 물질 바탕으로 InAs/AlSb 양자폭포를 액티브 영역에 추가 함으로서 종래에 진행되어 보여 주었던 77K 근처에서의 소자 동작 온도를 뛰어 너머서 200~300K의 동작 온도에서도 적외선 소자가 동작 할 수 있음을 보여
Purpose& contents
○ Recently, many researches have been focused for the detection of mid infrared and long infrared rays based on III-V antimonide materials. This is a result of the development of material growth technology using MBE based on Sb due to the development of high purity GaSb substrat
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