초록 ▼

연구의 목적 및 내용
● 고효율/고출력 LED칩 제조 및 특성 평가 연구
1. 고효율/고출력 LED칩 설계안 제시 및 다양한 테스트 패턴을 이용한 LED칩의 메카니즘 분석

2. LED칩 핵심 요소 기술 개발 및 LED칩 제조 공정 기술 개발

3. 저온 L-I-V 측정 시스템을 이용한 LED칩 특성 평가

[연구성과 정량적 목표]
1. 관련 SCI 논문 > 11편, 2. 특허 출원/등록 > 3건, 3. 석박사 인력 > 4명

연구결과
[연구성과 결과]
- 총 논

연구의 목적 및 내용
● 고효율/고출력 LED칩 제조 및 특성 평가 연구
1. 고효율/고출력 LED칩 설계안 제시 및 다양한 테스트 패턴을 이용한 LED칩의 메카니즘 분석

2. LED칩 핵심 요소 기술 개발 및 LED칩 제조 공정 기술 개발

3. 저온 L-I-V 측정 시스템을 이용한 LED칩 특성 평가

[연구성과 정량적 목표]
1. 관련 SCI 논문 > 11편, 2. 특허 출원/등록 > 3건, 3. 석박사 인력 > 4명

연구결과
[연구성과 결과]
- 총 논문 20편 게재, 특허 출원/등록 총 15건 , 석박사 인력양성 총 4명

1차년도
● 고효율/고출력 LED칩 설계 기술 개발
1. I-V-T 측정을 통한 LED 소자의 유효전류주입 면적 분석 및 설계안 연구
2. LED 최적설계를 위한 테스트패턴 제작을 통한 전류퍼짐길이 측정 및 특성 평가

● 고효율/고출력 LED칩 제조를 위한 단위 공정 기술 개발
1. conducting filament법을 적용한 nonpolar p-GaN에서의 저저항/고반사도 전극 기술 개발
2. sputter damage 저감 최적화 단위공정 기술 개발
3. Mg/Si co-doping을 통한 ITO p-GaN 오믹전극 형성 연구

2차년도
● 나노구조기반 고투과도 투명전극 기술 개발
1. sputter plasma 데미지 저감 나노구조집적 oxide-metal-oxide 구조 기술 개발
2. 저저항/고투과도 Ag 나노와이어 투명전극 기술 개발
3. oblique-angle deposition법을 통한 고투과도 투명전극 형성 연구

3차년도
● 고효율/고출력/고신뢰도 LED칩 개발
1. transmission line model법을 활용한 저온하에서의 Ag 나노와이어/p-GaN 전하이송 기구 해석 연구
2. sputter 데미지 억제 ITO/p-GaN 투명전극 형성기술 개발
3. oblique-angle deposition법 응용에 따른 고기능성/고신뢰도 투명전극 형성기술 개발

연구결과의 활용계획
● 고효율/고출력 LED칩 단위공정 및 제조공정 핵심 원천기술 개발 및 IP 확보

● 국내 LED 산업체 기술이전을 통한 국가 기술경쟁력 제고

● LED 전문 고급인력 양성을 통한 국내 산업체 수요 충족

(출처 : 요약문 4p)

Abstract ▼

Purpose&contents
● Fabrication and characterization of high-efficiency/high-power LED chips
1. Design of high-efficiency/high-power LED chips and the elucidation of mechanism of LED chips using designed test patterns

2. Development of core unit processes and their integration for noble

Purpose&contents
● Fabrication and characterization of high-efficiency/high-power LED chips
1. Design of high-efficiency/high-power LED chips and the elucidation of mechanism of LED chips using designed test patterns

2. Development of core unit processes and their integration for noble LED chips

3. Characterization and reliability evaluation of LED chips using low-temperature L-I-V measurement systems

Result
[Achievement]
- SCI publication 20 ea, Patent filing/register 15 ea, Manpower 4 persons

● Development of high-efficiency/high-power LED chip fabrication
1. Study on the effective current injection area analysis and fabrication of LED chips using by I-V-T measurements

2. Evaluation of current spreading length using by developed various test patterns for the optimization of LED chip fabrication

● Development of unit-process technology for high-efficiency/high-power LED chip fabrication
1. Development of low-resistance and high-reflectivity electrodes on nonpolar p-GaN using conducting filament method

2. Development of sputter damage reduced unit-process technology

3. Study on the ITO/p-GaN ohmic contact by Mg/Si co-doping process

● Development of high-transparency nanostructure-based transparent conductive electrodes
1. Development of plasma damage free nanostructure integrated OMO transparent conductive electrodes

2. Development of low-resistance/high-transparency Ag nanowire transparent conductive electrodes

3. Study on the high-transparency transparent conductive electrodes using oblique-angle deposition method

● Development of high-efficiency/high-power/high-reliability LED chips
1. Study on the carrier transport mechanism of Ag nanowire/p-GaN contact at low-temperature using transmission line model method

2. Development of sputter damage free ITO/p-GaN transparent conductive electrodes

3. Development of high-functionality/high-reliability ransparent conductive electrodes using oblique-angle deposition method application

Expected Contribution
● Development of vertical LED chips and related core technologies contributing to the LED industry

● Transfer of core technologies to domestic LED companies and thereby Korea's better international competitiveness

● Training of LED specialists and thereby supply to domestic LED industry

(출처 : SUMMARY 5p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 목차 ... 2
• 연구계획 요약문 ... 3
• 연구결과 요약문 ... 4
• 한글요약문 ... 4
• SUMMARY ... 5
• 연구내용 및 결과 ... 6
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
• 2. 국내외 기술개발 현황 ... 6
• 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 6
• 4. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 8
• 5. 연구결과의 활용계획 ... 10
• 6. 연구과정에서 수집한 해외 과학기술정보 ... 11
• 7. 주관연구책임자 대표적 연구실적 ... 11
• 8. 참고문헌 ... 11
• 9. 연구성과 ... 12
• 10. 국가과학기술지식정보서비스에 등록한 연구시설‧장비 현황 ... 20
• 11. 연구개발과제 수행에 따른 연구실 등의 안전조치 이행실적 ... 20
• 12. 기타사항 ... 20
• 별첨1. 대 표 연 구 성 과 ... 21
• 별첨2. 세부 목표 관련 증빙 ... 36
• 끝페이지 ... 43