최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산과학기술원 Ulsan National Institute of Science and Technology |
---|---|
연구책임자 | 정후영 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-05 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201800005563 |
과제고유번호 | 1345248344 |
사업명 | 이공학개인기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-05-05 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800005563 |
※ 본 연구는 차세대 비휘발성 메모리로 각광받고 있는 저항 변화 메모리 (Resistive Random Access Memory) 중 active layer로 그래핀 옥사이드 (Graphene oxide) 초박막을 사용하는 그래핀 옥사이드 저항 변화 메모리에서의 저항 변화 메커니즘을 단면 투과전자 현미경 기법을 이용하여 규명하는 것임.
1. Al/GO/Al 저항 변화 메모리에서 저항 변화를 일으키는 원인인 Al 금속 필라멘트를 관찰함.
본 연구자가 개발한 Al/GO/Al 메모리 소자에서 저항변화 메커니즘을
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.