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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 박창수 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-06 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800007428 |
과제고유번호 | 1345237166 |
사업명 | 이공학개인기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-05-19 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800007428 |
플라즈마 CVD를 이용하여 결함이 생성된 그래핀 박막을 얻었다. 분석결과 밴드갭이 생성되었고 조건에 따라 나노결정의 크기가 달랐다. 그래핀의 밴드갭은 결함밀도와 나노결정 크기 변화에서 기인한다고 할 수 있고 결함밀도와 나노결정 크기는 합성 시간의 변화로 제어할 수 있다. 라만 스펙트럼으로 볼 때 합성시간의 증가와 함께 결함밀도가 증가하였고, 나노결정의 크기는 감소하였다. 그래핀 FET의 밴드갭과 전계효과 이동도는 결함밀도와 나노결정의 크기에 영향을 받음을 확인하였다. 온도에 따른 전도도 변화를 측정하여 그래핀의 특성이 반도체적임을
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