초록 ▼

● III족 비소계 이종접합 구조 나노선 기반의 태양전지 개발
- InAs_yP_1-y 나노선 대면적 합성기술 개발
- 조성제어를 통한 나노선의 형성 제어
- Base와 tip부분의 조성이 균일한 InGaAs 나노선 합성
- 12.22%의 에너지 변환 효율을 가지는 단일 InAs_yP_1-y 나노선 태양전지 개발
● III족 질화물 나노막대 이종구조를 이용한 저비용/고효율 나노막대 태양전지
- InGaN/ZnO 이종구조 제조: 에

● III족 비소계 이종접합 구조 나노선 기반의 태양전지 개발
- InAs_yP_1-y 나노선 대면적 합성기술 개발
- 조성제어를 통한 나노선의 형성 제어
- Base와 tip부분의 조성이 균일한 InGaAs 나노선 합성
- 12.22%의 에너지 변환 효율을 가지는 단일 InAs_yP_1-y 나노선 태양전지 개발
● III족 질화물 나노막대 이종구조를 이용한 저비용/고효율 나노막대 태양전지
- InGaN/ZnO 이종구조 제조: 에피 성장 방법을 통하여 동축 구조로 이종구조 제조
- 비촉매 방법으로 단결정 InN 나노막대 성장
- InGaN 활성층이 들어간 나노막대 태양전지 제조
- 그래핀 상에서 InGaN/ZnO, GaN/ZnO 나노구조물 이종구조 선택 성장
● 텐덤셀용 고투명/고효율 염료감응 태양전지 개발
- 선택적 파장 투과형 전극 설계 기술 개발: 염료감응태양전지의 구조 및 핵심소재를 광투과에 유리한 구조로 개발.
- Bottom cell (III-V)의 광흡수를 고려한 염료선택 및 셀 설계
- 적층형 태양전지의 접합 계면 특성 연구
● 염료감응 / Bottom cell 탬덤형 태양전지개발 : Eff ≥15%

(출처 : 보고서 요약서 3p)

Abstract ▼

Ⅳ. Results of Research

□ The 1^st Sub-Project
● Wafer-scale large-area synthesis of InAs_yP_1-y nanowires on Si wafer
- Development of surface-treatment technique using PLL
- Wafer-scale uniform synthesis of InAs_yP_1-y nanowires usin

Ⅳ. Results of Research

□ The 1^st Sub-Project
● Wafer-scale large-area synthesis of InAs_yP_1-y nanowires on Si wafer
- Development of surface-treatment technique using PLL
- Wafer-scale uniform synthesis of InAs_yP_1-y nanowires using MOCVD
- Optical/electrical/structural analysis InAs_yP_1-y nanowires
● Development of In_xGa_1-xAs nanowires with uniform composition
- It was observed that InGaAs nanowires grown by VLS mode has a tapered morphology and the composition of group-III atoms are changing from the bottom-to-tip direction.
- We successfully obtained optimal MOCVD process conditions for the fabrication of uniform-composition InGaAs in terms of synthesis temperature, optimal ration of III to V precursors.
● Fabrication InAs nanowire using control of composition.
● Process optimization of Ⅲ-Ⅴ nanowire solar cell
- Surface passivation technique by adopting the InP shell layer on the surface of InAsP nanowire, optimization of TCO in terms of deposition temperature/thickness/deposition angle, and optimization of RIE process
- Fabrication of InAsP nanowire-based solar cell with 12.2 % conversion efficiency.

□ The 2^nd Sub-Project
● Fabrication of solar cell structure based high-quality III-nitride
- Fabrication of catalyst-free InGaN/ZnO and InN nanorod
- Large-area and site-selective syntheses of nitride nanorod
● Synthesis of inorganic semiconductor-graphene hybrid structure
- Fabrication of soft optical device and graphene-based transparent electrode

□ The 3^rd Sub-Project
● Development of wavelength-selective transparent DSSC
- Chemical etching of TiO₂ photo electrode, electrolyte and optimization of precursor solution of
● Development of III-V nanowire/dye-sensitized tandem cell
- Fabrication III-V nanowire/dye-sensitized tandem cell with 11% cell efficiency

□ The 4^d Sub-Project
● Development of damage free TCO fabrication
- TCO Transmittance : > 82%
- TCO Resistivity : < 10^-4Ω㎝
- TCO thin film uniformity : < ±10%

□ Generalization subject
● Fabrication of DCCS / Bottom cell tandem solar cell : Eff > 15%

(출처 : SUMMARY 7p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요 약 문 ... 5
• Summary ... 7
• CONTENTS ... 9
• 목차 ... 10
• 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 12
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 17
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 45
• 재 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 160
• 1. 1세부과제 ... 160
• 2. 2세부과제 ... 162
• 3. 3세부과제 ... 166
• 4. 4세부 과제 ... 168
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 181
• 1. 1세부과제 ... 181
• 2. 2세부과제 ... 182
• 3. 3세부과제 ... 183
• 4. 4세부과제 ... 184
• 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 187
• 1세부과제 ... 187
• 2세부과제 ... 189
• 3세부과제 ... 191
• 4세부과제 ... 193
• 제 7 장 참고문헌 ... 196
• 성과소개서 ... 202
• 1세부 보고서 Ⅲ족 비소계 이종접합 구조 나노선기반의 광전변환효율 10급 태양전지 개발 ... 236
• 2세부 보고서 III족 질화물 반도체 나노막대 이종구조 기반의 10급 태양전지 개발 ... 313
• 3세부 보고서 텐덤셀용 고투명/고효율 염료감응 태양전지 개발 ... 373
• 4세부 보고서 텐덤용 실리콘 나노 구조 Bottom 태양전지 개발 ... 456
• 끝페이지 ... 519