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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광주과학기술원 Gwangju Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 이동선 |
참여연구자 | 박성주 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-01 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 광주과학기술원 Gwangju Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO201800035687 |
DB 구축일자 | 2018-07-21 |
키워드 | 질화갈륨.나노.멤브레인.발광다이오드.플렉시블.Gallium nitride.Nano.Membrane.Light-emitting diodes.Flexible. |
□ GaN 나노 구조 선택성장 및 도핑
∘ 나노 임프린트를 이용하여 지름 500 nm 이하, 주기 1 μm, fill factor 10% 이상의 홀패턴 마스트 제작
∘ 유기금속 화학 증착장비(MOCVD)를 이용하여 Si, Mg 유량을 조절하여 도핑에 따른 성장양상 확인
□ 나노 구조 위 core-shell 양자우물구조 성장 기술 개발
∘ 나노 임프린트로 제작한 홀 패턴을 이용하여 선택성장 후 core-shell 형태의 InGaN 양자우물구조성장 연구
□ GaN 단결정 나노 멤브레인을 위
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