[보고서]Damage Free 기술을 이용하는 10nm급 반도체 및 8세대 디스플레이용 세정장비 핵심원천기술 개발

김재정

보고서 정보

주관연구기관

서울대학교
Seoul National University

연구책임자

김재정

보고서유형

최종보고서

발행국가

대한민국

언어

한국어

발행년월

2016-10

과제시작연도

2015

주관부처

산업통상자원부
Ministry of Trade, Industry and Energy

등록번호

TRKO201800039567

과제고유번호

1711029569

사업명

전자정보디바이스산업원천기술개발

DB 구축일자

2018-11-03

키워드

습식 세정.입자 제거.세정액.건식세정.플라즈마.무손상.세정기구.고 선택비.유기잔류물.세정후 분석.세정손상.유기막.

표 종횡비에 따른 파티클 제거 성능
표 반도체 세정기술 로드맵
표 입자 직경에 따른 작용력
표 기판과 입자사이의 double layer 모델
표 solution pH에 따른 Si 표면 거동
표 입자-기판 사이의 zeta potential에 의한 거동
표 1차년도 중앙대학교 연구개발체계도
표 공정 가스선정 및 반응기 제작 내용
표 평가용 반응 장치 모식도
표 건식 세정 공정 개념도
표 Proto-type Process Source 및 Chamber 구성도
표 Twin chamber single pumping section view
표 용액 속에서의 입자 표면 전하 발생
표 기판 표면으로부터의 입자 제거 방법
표 세정액 종류에 따른 세정 반응
표 Lift-off 방식에 의한 입자 제거 모식도
표 Lift-off 방식 세정시 발생할 수 있는 표면 거칠기
표 공정/장비/chemical 최적화를 위한 계략도
표 공정 가스 및 공정 조건에 따른 선택비 제어 및 흄 분석 특성 연구 내용
표 화학 반응에 의한 건식 세정 공정 개략도
표 입자 세정력을 평가하기 위한 electrochemical quartz crystal microbalance 시스템
표 SEM 및 AFM을 이용한 세정력 평가
표 Immersion Process 예시
표 박막 별 세정 공정용 첨가제에 의한 제거효율 변화 측정 및 흄 발생 제어 평가 내용
표 화학 반응 및 첨가제에 의한 흄 발생 제어 개략도
표 연세대학교 BIO-IT FAB layout
표 연세대학교 보유의 에피 Si, SixGe1-x 증착용 UHV-CVD 챔버
표 TOP engineering cleaning system
표 Post cleaning 최적화 모식도
표 세정 공정 제거효율 최적화 및 defect 최소화 연구 내용
표 건식 세정 장치 개조/ 개선 모식도
표 건식 세정 공정 제거효율 최적화 및 defect 최소화 개념도
표 3차원 FinFET 구조
표 3차원 Recessed Channel pattern
표 Schematic diagram of potential differences with the distance from particle surface.
표 Various Cleaning Mechanisms after CMP Process
표 SEM cross-section (a) showing device and contact metal levels, (b) of six-level Cu interconnect structure, and (c)schematic diagram of OLED structure
표 Phase diagram of invar (Fe-Ni alloy)
표 Zeta potential of silica (PL-3) according to the pH
표 Zeta potential of Cu and Cu oxides (CuO, Cu2O) according to the pH
표 Zeta potential of invar (Fe-Ni alloy) according to the pH
표 XPS spectra of SiO2
표 (a) XPS spectra of Cu with native oxide and (b) peak intensity and area of each species
표 (a) XPS spectra of Cu oxidized by hydrogen peroxide(H2O2) and (b)peak intensity and area of each species.
표 (a) XPS spectra of Cu oxide and (b) thickness.
표 Oxide Thickness of Native Oxides of Cu and after H2O2 Oxidation
표 (a) XPS spectra of Fe (b) peak intensity and area of each species.
표 (a) XPS spectra of Ni (b) peak intensity and area of each species
표 (a) XPS spectra of Fe (b) peak intensity and area of each species
표 (a) XPS spectra of Ni (b) peak intensity and area of each species
표 Oxide Thickness of Native Oxides of Invar according to Resolved Angle
표 Molecular structure of (a) citric acid (b) ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), and (c) 1,2-bis-(3-aminopropylamino)ethane (TAD).
표 Cu ion Concentrations and Etch Rate of Three Complexing Agent
표 SEM surfacestatement and particle density after cleaning step containing (a) citric acid (b) ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), and (c)1,2-bis-(3-aminopropylamino)ethane (TAD).
표 Fe and Ni ion Concentrations and Etch Rate of Three Cleaning Solutions
표 FE-SEM images of invar substrates
표 Scale downed invar made by Top engineering company
표 Defect 유형들
표 Image of invar surface of no treatment
표 Wafer cleaning agent (basic)
표 세정(cleaning)에 응용되는 기술
표 세정관련 특허들
표 IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre)에서 제시한 cleaning process의 발전방향
표 Alternative cleaning agent
표 NMP, TFD4, IPA의 주요 특성
표 chemical 별 cleaning 조건
표 Micrographs of 5㎕ (a) Pd, (b) Ni, (c) Cu wet droplets on the wafer with DHF treatment (top), with BOE treatment (bottom)
표 AFM image(0.4 x 0.4um) of invar surface with a.no treatment; b.NMP treatment; c.TFD-4 treatment
표 SEM image and EDX result of invar surface with pollution
표 SEM image and EDX result of invar surface with nmp treatment
표 The Creation of monopole defects a, b, MFM image (a) and linescan (b) in zero field
표 TG-DTA image of invar sample
표 DSC image of invar sample
표 SEM image and EDX result of invar sample after cleaning
표 1차년도 목표 대비 정량적 성과
표 나노 패턴 세정을 위한 건식 세정 공정의 필요성
표 연구 개발 최종 목표 및 세부 목표
표 연구 개발 정량적 목표
표 연구 개발 정량적 목표 및 달성도
표 박막 세정 특화 화학액 세정공정 문헌 조사
표 박막 세정 공정을 위한 세정액 및 조성
표 BOE 및 DHF 세정에서 HF 농도에 따른 산화막 cleaning rate 변화
표 BOE 및 DHF 세정에서 HF 농도에 따른 질화막 cleaning rate 변화
표 BOE 및 DHF 세정에서 HF 농도에 따른 산화막 / 질화막 선택비 변화
표 BOE 세정에서 NH3F 농도에 따른 산화막 cleaning rate 변화
표 BOE 세정에서 NH3F농도에 따른 질화막 cleaning rate 변화
표 플라즈마 활성화 가스를 이용한 산화막 세정 공정 반응기 개략도
표 플라즈마 활성화 가스를 이용한 산화막 세정 공정 반응 모식도
표 고 효율 건식 세정 평가 공정 변수
표 고 효율 건식 세정 공정을 이용한 시간에 따른 산화막 cleaning rate 변화
표 고 효율 건식 세정 공정을 이용한 시간에 따른 질화막 cleaning rate 변화
표 고 효율 건식 세정 공정을 이용한 시간에 따른 산화막 / 질화막 선택비 변화
표 고 효율 건식 세정 공정에 의한 산화막 부생성물 이미지
표 고 효율 건식 세정 공정 후 부생성물 유무에 따른 접촉각 변화
표 고 효율 건식 세정 공정 후 부생성물 SEM이미지
표 FT-IR을 이용한 (NH4)2SiF6 powder 및 건식 세정 공정 후 fume분석 결과
표 TGA를 이용한 고 효율 건식 세정 공정 후 fume 분해 결과
표 고 효율 건식 세정 공정 반응에 의한 fume 형성 모식도
표 시간에 따른 산화막 제거량, fume 측정 두께 및 이론적 생성 두께 결과
표 건식 세정 후 기판 특성 변화에 대한 문헌 조사
표 산화막 세정 공정 반응 모식도
표 건식 세정 선행 특허 조사
표 플라즈마 공정 변수에 따른 기판 damage
표 플라즈마 노출 시간에 따른 기판의 표면 거칠기 변화
표 Low-k 플라즈마 damage 현상
표 Proto-type Process Source 및 Chamber 구성
표 ㈜ACN DOE결과 중 oxide, nitride 식각조건 실험 결과
표 무손상 건식 세정 공정 평가 공정 변수
표 공정 변수에 따른 식각 률 비교
표 건식 세정 power에 따른 bare-Si의 자연 산화막 성장
표 공정 변수에 따른 표면 거칠기 AFM 결과
표 건식세정 후 Bare Si 표면 TEM 분석
표 Bare Si 건식 전 후 표면 분석
표 공정 변수에 따른 식각율 비교
표 공정 변수에 따른 표면 거칠기 AFM 결과
표 건식식각에 따른 SiO2 표면 SEM 분석
표 건식 세정 후 후처리에 따른 기판 표면의 불소(F)농도
표 공정 변수에 따른 식각 률 비교
표 공정 변수에 따른 표면 거칠기 AFM 결과
표 건식 세정 후 Plasma Power에 따른 기판 표면의 성분 분석
표 공정 변수에 따른 식각 률 비교
표 공정 변수에 따른 표면 거칠기 AFM 결과
표 Zeta potential of colloidal silica (PL-3, abrasive)depending on the pH.
표 Zeta potential of Cu and Cu oxides (CuO, Cu2O) particle depending on the pH.
표 Zeta potential of invar (Fe-Ni alloy) particle depending on the pH.
표 (a) XPS spectra of Fe, (b) Ni, and (c) peak intensity and area of invar before dipping into the cleaning solution.
표 (a) XPS spectra of Fe, (b) Ni, and (c) peak intensity and area of invar after dipping into TFD4-1.
표 (a) XPS spectra of Fe, (b) Ni, and (c) peak intensity and area of invar after dipping into NMP.
표 (a) XPS spectra of Fe, (b) Ni, and (c) peak intensity and area of invar after dipping into TFD4-1+NMP.
표 (a) XPS spectra of Fe, (b) Ni, and (c) peak intensity and area of invar after dipping into KOH+NMP.
표 Thickness of (a) iron oxide and (b) nickel oxide variation of invar before and after cleaning solution treatment.
표 (a) XPS spectra of Fe (b) peak intensity and area of SUS before dipping into cleaning solution
표 (a) Fe XPS spectra of SUS after dipping into TFD4-1, (b) NMP, and (c) its peak intensity and area
표 (a) Fe XPS spectra of SUS after dipping into TFD4-1+NMP, (b) KOH+NMP, and (c) its peak intensity and area.
표 (a) XPS spectra of Cr of SUS before dipping into the cleaning solution.
표 Thickness of iron oxide variation of SUS before and after cleaning solution treatment.
표 Schematic diagram of cleaning process
표 Kinds of Al etchant and PR (photoresist) stripper
표 Kinds of complexing agent for invar and SUS
표 (a) Dissoluted Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of each cleaning solution in regard to the invar substrate.
표 (a) Dissoluted Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of each cleaning solution in regard to the SUS substrate.
표 (a) Dissoluted PR mass according to the time variation (b) PR etch rate of each cleaning solution in regard to the invar and SUS substrate.
표 (a) Dissoluted Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of KOH + EDTA in regard to the invar substrate.
표 (a) Dissoluted Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of KOH + citric acid in regard to the invar substrate.
표 Complexing agent candidates for Cu
표 SEM surface statement and particle density after cleaning step containing (a) formic acid, (b) oxalic acid, (c) tartaric acid, (d) citric acid, and (e) ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA).
표 XPS spectra of Cu (a) before cleaning process (b) after cleaning process with citric acid, and (c) after cleaning process with EDTA.
표 UV-vis spectra of Cu ion according to the complexing agents in regard to Cu2O and CuO.
표 ICP-AES result of Cu ion concentration according to the complexing agent in regard to Cu2O and CuO
표 Surface roughness of Cu substrate after cleaning process with (a) citric acid and (b) EDTA.
표 Particle density and standard deviation result according to the 0.15 M complexing agent with or without 0.006 M ATRA
표 ICP-AES result of Cu ion concentration according to the complexing agent with or without 0.006 M ATRA in regard to Cu2O and CuO
표 Surface roughness of Cu substrate after cleaning process containing 0.15 M EDTA (a) without ATRA, (b) with 0.006 M ATRA, and (c) with 0.03 M ATRA.
표 SEM surface statement and particle density of Cu substrate after cleaning process containing 0.15 M EDTA with (a) 0.006 M ATRA and (b) 0.03 M ATRA
표 OLED 용 shadow mask 모형도
표 세정과정과 세정 후 분석 컨셉
표 OLED 용 shadow mask의 frame sample 표면 (세정 후)
표 SEM image of the cross section of OLED shadow mask
표 SEM/EDX analysis of surface of mask surface
표 SEM image and Fluorescent image of invar surface where welding on SUS.
표 Fluorescent image of invar surface that clean with immersion cleaning method.
표 The residue area on invar surface with cleaning time which use immersion method.
표 The residue area on invar surface with cleaning time which use sonic method.
표 The Raman spectroscopy of different concentration of residue (Alq3) dissolve in NMP cleaning chemical.
표 The trend of Intensity change in the concentration of Alq3(peak 1 ~11) dissolve in NMP.
표 The Raman spectroscopy of different concentration of residue Al dissolve in TFD cleaning chemical
표 Residue in mask frame after ultrasonic cleanig method for 15, 30, 45 seconds .
표 he Raman spectroscopy of different immersion time with invar/SUS mask immerse in NMP cleaning chemical.
표 The data plotting using Gauss fitting method
표 The data plotting using PLS(partial least squares) method
표 mask pattern using of resistance measurement
표 The process of pattern formation
표 The process of Contact Resistance measurement
표 최종 목표 - 중앙대학교
표 2차년도 정량 목표 및 평가 방법
표 2차년도 목표 대비 정량적 성과
표 연구 개발 최종 목표 및 세부 목표
표 연구 개발 정량적 목표 및 달성도
표 NF3, H2O 건식 세정기 내부
표 NH3/H2O 건식 세정 반응
표 액상의 condensed layer에서의 SiO2 세정 반응 모식도
표 H2O 내에서의 silica의 용해도
표 다.4. 플라즈마 활성화 가스를 이용한 산화막 세정 공정 반응 모식도
표 HF 건식 세정공정 문헌 조사
표 고 효율 건식 세정 평가 공정 변수
표 건식 세정 공정을 이용한 plasma power 따른 질화막, 산화막 세정율
표 건식 세정 공정을 이용한 gap distance 따른 질화막, 산화막 세정율
표 기체상태의 condensed layer에서 gap distance에 따른 세정율
표 건식 세정 공정을 이용한 온도에 따른 세정율
표 건식 세정 공정을 이용한 H2O유량에 따른 세정율
표 NF3/H2O 가스와 NH3/NF3 가스의 시간에 따른 산화막 세정율
표 NF3/H2O 가스와 NH3/NF3 가스의 시간에 따른 질화막 세정율
표 NF3/H2O 가스와 NH3/NF3 가스의 시간에 따른 산화막/질화막 선택비
표 부 생성물 표면 분석을 위한 공정 조건
표 NH3/NF3 건식 세정 전후의 표면 접촉각 변화
표 NF3/H2O 건식 세정 전후의 표면 접촉각 변화
표 NH3/NF3 건식 세정 후의 표면 SEM 사진
표 NF3/H2O 건식 세정 후의 표면 SEM 사진
표 부생성물 FT-IR 분석과 특성 peak
표 NF3/H2O 건식 세정 후의 질화막 표면 FT-IR 분석
표 NF3/H2O 건식 세정 후의 산화막 표면 FT-IR 분석
표 건식 세정 메커니즘 연구 문헌
표 건식 세정 선행 특허
표 분압에 따른 응축상 형성 영역(문헌3)
표 SiO2 건식 식각 반응 단계별 모식도(문헌1)
표 NF3 / H2O 건식 세정 이후 Si(100) 시편의 AFM image (a) watermark (b) residue island
표 NF3 / H2O 건식 세정 이후 Si(100) 시편의 SEM image (a) watermark (b) residue island
표 건식 세정 후 기판 특성 변화 연구 문헌
표 watermark 생성 메커니즘
표 residue island 형성 메커니즘
표 non-uniform plasma potential
표 안테나 모식도
표 Plasma damage 분석 방법
표 Proto-type Process Source 및 Chamber 구성
표 반응 가스에 따른 기판 표면의 XPS 분석 결과
표 반응 가스에 따른 기판 표면의 AFM 측정 결과
표 건식 세정 power와 pressure에 따른 bare-Si의 자연 산화막 성장.
표 Si(100) 건식 세정 진행 후 표면 AFM image.
표 베타기에서의 건식세정 진행 후 공정 조건에 따른 bare-Si AFM 측정 결과
표 알코올 추가한 건식 세정 후 Si 기판 표면의 성분 분석
표 공정단계에 따른 산화막 표면의 성분 분석
표 공정 단계에 따른 산화막 표면의 AFM image
표 산화막 무손상 건식 세정 공정 변수
표 산화막 무손상 건식 세정 공정 변수에 따른 표면 거칠기
표 SiO2 기판 건식 세정 후 AFM image
표 공정 변수에 따른 질화막 표면 거칠기
표 Si3N4 기판 건식 세정 후 AFM image
표 Test pattern image (a) SEM image (b) TEM image
표 SPDM(Simple Plasma Damage Monitoring) 구조
표 Schematic diagram of light
표 Stability test of Cu ELD solution with EDTA, HEDTA and CDTA as complexing agents
표 Investigation of TFD4-1 by 1H-NMR
표 Schematic diagram of cleaning process
표 Kinds of Al etchant and PR (photoresist) stripper
표 Kind of complexing agent for 1 step chemical
표 (a) Dissolved Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of each cleaning solution in regard to the invar substrate.
표 Precipitation of TFD4-1 and NMP mixture
표 (a) Dissolved Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of KOH+L-glutamic acid in regard to the invar substrate.
표 (a) Dissolved Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of KOH+L-glutamic acid in regard to the invar substrate.
표 (a) Dissolved Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of KOH+EDTA in regard to the invar substrate.
표 (a) Dissolved Al mass according to the time variation (b) Al etch rate of KOH+EDTA+NMP in regard to the invar substrate.
표 (a) Schematic diagram of in-situ Transmittance (b) Installed in-situ Transmittance (c) Output Transmittance data by LabViewTM program
표 Cleaning equipment in industry (Top engineering)
표 Size reduction of in-situ Transmittance
표 Noise reduction by modification of in-situ Transmittance
표 Transmittance variation according to the Al contamination amount in TFD4-1 solution (a), (b) Transmittance according to the concentration of alumina (c) color of cleaning solution with respect to alumina concentration
표 Transmittance variation according to the Al contamination amount in KOH + 0.5 M EDTA solution(a), (b) Transmittance according to the concentration of alumina (c) color of cleaning solution with respect to alumina concentration
표 Etch rate of TFD4-1 according to the Al dissolution
표 최종 목표 - 중앙대학교
표 정량 목표 설정치 및 평가 방법
표 3차년도 목표 대비 정량적 성과
표 OLED 공정에서 이용되는 shadow 마스크용 스테인리스 기판과 인바의 crack SEM 촬영결과.
표 Immersion cleaning method 이용 시 invar surface의 형광 현미경 이미지.
표 Fluorescent area on invar surface with cleaning time by using immersion method
표 Invar/SUS shadow mask를 NMP cleaning chemical을 이용하여 세정한 시간에 따른 chemical 분석 결과(Raman spectroscopy)
표 NMP-Alq3 세정용액을 이용한 세정시간별 실험결과 peak fitting 분석 그래프(1620~1749 cm⁻¹) 10min~640min
표 물리적 세정을 최대한 배제한 NMP-Alq3 Shadow mask 1일 세정실험을 진행한 Post cleaning chemical을 Partial least square algorithm을 이용한 프로그램 분석한 결과(0.7hour~24hour=10~1440min)
표 Peak distribution of NMP Raman shift at 1,620-1,749 cm-1 and 2,826-3,057 cm-1 using Gaussian peak fitting equation.
표 Peak distribution of Fluorescence Raman shift at 1,551-1,613 cm-1 and 2,266-2,493 cm-1 obtained through mathematical integration.
표 Plot and fitting result of Ifluorescence(integrative value of1,551-1,613 cm-1)/Inmp(integrative value of 2,826-3,057 cm-1)
표 세정 공정 장비 중 세정 용액 관리 시스템 concept 구성도
표 유무기 동시세정액 OMECSOL-160의 구성 요소 및 분자구조
표 Raman spectrum of OMECSOL-160 cleaning chemical
표 Hot stage in-situ kit 사시도
표 Hot stage in-situ kit 정면도
표 Hot stage in-situ kit 평면도 및 측면도
표 NOVEC 7100의 기본 정보 및 분자구조
표 NOVEC 7100 피크 분석 예상
표 NOVEC 7100의 Raman spectrum과 대표 분석 피크
표 NOVEC time depending experiment
표 NOVEC 클리닝 횟수에 따른 피크 변화 결과
표 연구 개발 최종 목표 및 세부 목표
표 PSZ를 이용한 SiO2 생성 반응 도식
표 폴리머를 이용하여 생성된 다양한 구조의 SiO2
표 NH3/H2O 건식 세정 반응
표 후처리 공정별 PSZ 산화막의 FT-IR 스펙트럼
표 PSZ 산화막 참고 문헌
표 PSZ 부 생성물 표면 분석을 위한 공정조건
표 건식세정 이후 PSZ, Thermal SiO2 광학현미경 사진
표 건식세정 이후 PSZ, Thermal SiO2 접촉각 차이
표 저 건식 세정 후 PSZ FT-IR 스펙트럼
표 고 건식 세정 후 PSZ FT-IR 스펙트럼
표 후처리 공정을 진행한 PSZ FT-IR 스펙트럼
표 플라즈마 활성화 가스를 이용한 산화막 세정 공정 반응 모식도
표 표면처리에 따른 세정효율 영향 실험에 대한 공정 조건
표 표면처리 조건에 따른 건식세정 후 세정율 (압력 변수)
표 표면처리 조건에 따른 건식세정 후 세정율 (플라즈마 파워 변수)
표 표면처리 조건에 따른 건식세정 후 세정율(온도 변수)
표 초기 오염에 따른 세정후의 표면 광학현미경 사진
표 친수 소수 Thermal SiO2 표면에 따른 표면 FT-IR 스펙트럼
표 친수 소수 PSZ 표면에 따른 표면 FT-IR 스펙트럼
표 전도층의 면적 및 길이에 따른 Plasma stress current
표 플라즈마 손상에 의한 VFB의 이동
표 Proto-type Process Source 및 Chamber 구성
표 Si(100) 건식 세정 진행 후 표면 AFM image
표 Si(100) 건식 세정 진행 후 표면 XPS분석 결과 (F1s peak)
표 건식 세정 전, MOS Cap C-V 측정 결과
표 건식 세정 후, MOS Cap C-V 측정 결과
표 안테나 패턴 mask layout
표 안테나 패턴의 단면도

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