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핵심기술
파장이 안정화된 반도체 레이저 광원과 광섬유 기반의 nm급 미세 변위 측정이 가능한 변위측정 시스템

최종목표
1nm의 해상도를 갖는 3축 측정이 가능한 간섭계 제품개발

개발내용 및 결과
통상의 간섭계는 HeNe 레이저와 같은 기체레이저와 bulk optics로 구성 되므로, 이동성에 제약이 따르며, 소형화에도 한계가 있다. 그러나 반도체 레이저와 광섬유를 이용한 간섭계는 이러한 제약을 극복할 수 있음. 본 연구에서는 광 간섭계를 통해 목표대상에서 반사되며 추가적인 경로를 갖는 광과

핵심기술
파장이 안정화된 반도체 레이저 광원과 광섬유 기반의 nm급 미세 변위 측정이 가능한 변위측정 시스템

최종목표
1nm의 해상도를 갖는 3축 측정이 가능한 간섭계 제품개발

개발내용 및 결과
통상의 간섭계는 HeNe 레이저와 같은 기체레이저와 bulk optics로 구성 되므로, 이동성에 제약이 따르며, 소형화에도 한계가 있다. 그러나 반도체 레이저와 광섬유를 이용한 간섭계는 이러한 제약을 극복할 수 있음. 본 연구에서는 광 간섭계를 통해 목표대상에서 반사되며 추가적인 경로를 갖는 광과 그 외의 경로가 같은 기준 광의 간섭을 통해 얻을 수 있는 위상차이로부터 역으로 그 경로의 차이를 계산함으로써 변위를 측정하는 기술을 구현함으로써, 단순한 간섭계를 통해서는 방향을 추정할 수 없는 단점도 극복하고, 광에 추가적인 변조 및 직각 복조를 함으로써 간섭계의 출력으로부터 방향정보까지 얻으며, 이에 사용되는 광원 및 신호처리 회로의 안정화를 통해 높은 해상도를 갖는 간섭계를 개발하였음.

기술개발 배경
정밀한 위치변위 측정기술은 정밀 기계공업의 발전은 물론 물질의 특성연구와 바이오 산업의 발전에 필수 적이다. 통상의 간섭계로는 수십 ~ 100 nm정도의 변위 측정이 가능하나, 보다 정밀한 측정을 위해서는 nm급의 변위측정이 중요하다.

핵심개발 기술의 의의
반도체 레이저와 광섬유를 이용한 nm급의 간섭계를 개발함으로써, 설치와 이동이 간편하고, 정밀한 위치변위 정보로부터 다양한 응용기기를 개발할수 있는 기반기술이 개발 되었음.

적용 분야
반도체용 노광장비, TFT(Thin film transistor) 노광장비, 초정밀 3차원 측정기, 초정밀 가공기, 각종 변위 센서의 보정 장치, 연구용 측정 장비 등

(출처 : 최종보고서 초록 5p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3
• 기술개발사업 주요 연구성과 ... 16
• 목차 ... 25
• 제 1 장 서론 ... 26
• 제 1 절 과제의 개요 ... 26
• 제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과 ... 27
• 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 27
• 제 2 절 단계 목표 및 평가 방법 ... 27
• 제 3 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 28
• 제 4 절 수행 결과의 보안등급 ... 32
• 제 5 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리현황 ... 33
• 제 3 장 결과 ... 34
• 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 34
• (3-1-1) 연구개발 추진 일정 ... 34
• (3-1-2) 연구개발 추진 실적 ... 39
• 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 103
• 제 3 절 고용 창출 효과 ... 104
• 제 4 절 자체보안관리진단표 ... 105
• 제 4 장 사업화 계획 ... 109
• 제 1 절 시장 현황 및 전망 ... 109
• 제 2 절 사업화 계획 ... 110
• 제 3 절 향후 추가 기술 개발 계획(개발기술 응용 등) ... 113
• 끝페이지 ... 114