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NTIS 바로가기주관연구기관 | 알에프에이치아이씨(주) |
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연구책임자 | 유호준 |
참여연구자 | 서용주 , 박민호 , 이승현 , 김충식 , 김상훈 , 이태경 , 박평식 , 전원 , 조형진 , 김상섭 , 조은총 , 윤태식 , 현철민 , 박성춘 , 정희승 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-06 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800042066 |
과제고유번호 | 1711055195 |
사업명 | ICT유망기술개발지원 |
DB 구축일자 | 2018-11-03 |
키워드 | 질화갈륨.집적회로.전력증폭기.GaN.MMIC.SSPA. |
핵심기술
GaN 전력 증폭기 설계 기술
GaN 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로 설계 기술
최종목표
o 5G 이동통신용 3.6~3.8GHz 대역, 평균출력 4W 이상의 GaN 집적회로(MMIC) 기반 보급형, 고효율 Doherty 전력 증폭기 개발 및 설계 기술 확보
o End Product
- 4 W급 5G용 도허티증폭기 패키지
개발내용 및 결과
개발 제품 소개 및 적용
- 5G Massive MIMO 이동통신 시스템을 위한 별도의 매칭회로가 필요 없는 완전 집적화한 전
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