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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 정소희 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-06 |
과제시작연도 | 2018 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201900020397 |
과제고유번호 | 1711071468 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-04-25 |
키워드 | 반도체 나노결정.결함제어.나노클러스터.표면화학. |
□ 연구개요
본 과제는 용액공정을 통해 합성되는 III-V 결정의 결함을 이해하고 이에 따른 발광/광전 특성 제어 원리를 제시하여 고효율 소자를 구현의 기초를 확립하고자 한다. III-V 나노 결정의 경우 물질의 고유 특성이 매우 우수함에도 불구하고 결함 패시베이션의 어려움으로 고효율 소자로의 구현이 어려운 문제가 있었다. 본 연구를 통하여 나노 결정 표면 끊어진 결합 (dangling bond)의 특성을 이해하고 패시베이션 작용기를 디자인 및 적용함으로서 발광/광전 특성을 향상시키고자 하였다.
□ 연구 목표대비
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