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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 고승환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-08 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201900024932 |
과제고유번호 | 1711059051 |
사업명 | 나노·소재기술개발 |
DB 구축일자 | 2020-08-22 |
키워드 | 도핑된 그래핀.열전성능지수.나노스케일 에너지 변환.고효율 열전소재.Doped graphene.Thermoelectric figure of merit.Nanoscale energy conversion.Efficient thermoelectric material. |
□ 연구의 목적 및 내용
실리콘 도핑 그래핀을 이용한 획기적인 방법으로 열전성능지수(ZT)가 2 이상인 고효율 열전소재의 개발을 목표
- 초격자, 나노선 등의 나노구조를 적용하는 기존 열전소자의 복잡한 제조공정, 크기 제한 등의 단점을 보완.
- 나노구조의 적용 없이 실리콘 도핑을 이용하여 그래핀의 ZT 값을 3이상으로 향상시킬 수 있는 방법을 고안.
- 해석모델을 통하여 이를 검증.
- 열전 및 광학적 물성의 계측법 및 해석모델을 고안 및 개선함.
- 결정크기가 다른 그래핀 및 실리콘 도핑 그래핀의
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