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NTIS 바로가기주관연구기관 | 홍익대학교 Hongik University |
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연구책임자 | 차호영 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-11 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000002720 |
과제고유번호 | 1345302784 |
사업명 | 개인기초연구(교육부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | 질화갈륨.초저전력.고효율.고속반도체.터널 전계효과 트랜지스터.문턱전압 이하 기울기.네거티브 커패시턴스. |
□ 연구개요
본 연구개발의 목표는 Beyond Moore 시대에 접어든 반도체 산업에서 scale-down방법 이후의 새로운 패러다임으로 추구되는 초저전력 반도체 소자기술을 차세대 고효율 고속반도체인 GaN를 활용하여 개발하는 것이다. 초저전력 반도체는 수많은 기능이 내장되어 있는 고집적화 아키텍처에서 반드시 필요로 하는 기술로 이 문제를 해결할 수 있는 주된 관심을 받는 구조는 터널 전계효과 트랜지스터 (tunnel field-effect transistor (TFET)) 이다. 연구 개발의 목표는 기존 Si Tunnel F
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