최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
---|---|
연구책임자 | 안호균 |
참여연구자 | 김해천 , 김성일 , 도재원 , 정현욱 , 조규준 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-12 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000003408 |
과제고유번호 | 1711101756 |
사업명 | 한국전자통신연구원연구운영비지원(R&D)(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2020-05-16 |
Ⅳ. 연구결과
본 연구과제의 1차년도 및 2차년도 주요 연구결과는 다음과 같다
1. GaN 나노구조물 공정 개발
- GaN 나노구조물 설계 및 패터닝 공정 개발
- GaN 나노구조물 제작용 건식식각 공정 개발
- GaN 나노구조물 제작용 TMAH 후처리 공정 개발
2. FET-type GaN 센서 소자 개발
- FET-type GaN 센서 소자 설계
- FET-type GaN 센서 소자 단위공정 개발
- FET-type GaN 센서 소자 공정
- FET-type GaN 센
Ⅳ. RESULTS
The results of the first year and the second year of this study are listed below:
1. Development of 50nm GaN Nanowire structure
- GaN Nanowire design and fine pattern process using e-beam lithography system
- Dry etch process for the fabrication of GaN Nanowire
- TMAH treat
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.