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GaN Nanowire 구조 기반 NO2 가스 센서 소자 개발
Development of GaN Nanowire-based NO2 Gas Sensor Device 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 안호균
참여연구자 김해천 , 김성일 , 도재원 , 정현욱 , 조규준
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2019-12
과제시작연도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000003408
과제고유번호 1711101756
사업명 한국전자통신연구원연구운영비지원(R&D)(주요사업비)
DB 구축일자 2020-05-16

초록

Ⅳ. 연구결과
본 연구과제의 1차년도 및 2차년도 주요 연구결과는 다음과 같다
1. GaN 나노구조물 공정 개발
- GaN 나노구조물 설계 및 패터닝 공정 개발
- GaN 나노구조물 제작용 건식식각 공정 개발
- GaN 나노구조물 제작용 TMAH 후처리 공정 개발

2. FET-type GaN 센서 소자 개발
- FET-type GaN 센서 소자 설계
- FET-type GaN 센서 소자 단위공정 개발
- FET-type GaN 센서 소자 공정
- FET-type GaN 센

Abstract

Ⅳ. RESULTS
The results of the first year and the second year of this study are listed below:
1. Development of 50nm GaN Nanowire structure
- GaN Nanowire design and fine pattern process using e-beam lithography system
- Dry etch process for the fabrication of GaN Nanowire
- TMAH treat

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 인 사 말 씀 ... 5
  • 제 출 문 ... 7
  • 요 약 문 ... 9
  • ABSTRACT ... 13
  • CONTENTS ... 17
  • TABLES ... 19
  • FIGURES ... 20
  • 목차 ... 24
  • 표목차 ... 26
  • 그림목차 ... 27
  • 제 1 장 서 론 ... 31
  • 제 1 절 연구의 필요성 ... 33
  • 제 2 절 연구의 목적 ... 35
  • 제 2 장 GaN 나노구조물 공정 개발 ... 37
  • 제 1 절 GaN 나노 구조물 설계 및 패터닝 공정 개발 ... 39
  • 제 2 절 GaN 나노구조물 제작용 건식식각 공정 개발 ... 41
  • 제 3 절 GaN 나노구조물 제작용 TMAH 후처리 공정 개발 ... 53
  • 제 3 장 Planar-type GaN 센서 소자 개발 ... 57
  • 제 1 절 FET-type GaN 센서 소자 설계 ... 59
  • 제 2 절 FET-type GaN 센서 소자 단위공정 개발 ... 68
  • 제 3 절 FET-type GaN 센서 소자 공정 ... 71
  • 제 4 절 FET-type GaN 센서 소자 성능 분석 ... 79
  • 제 4 장 Bottom-up GaN 센서 소자 개발 ... 88
  • 제 1 절 GaN Nanowire 성장 공정 ... 90
  • 제 2 절 GaN Nanowire 복합 구조 센서 소자 공정 및 성능 분석 ... 91
  • 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 94
  • 제 1 절 고성능 GaN 바이오센서 기술 개발 ... 96
  • 제 2 절 면역세포치료제의 난치암 치료효능 예측 기술 ... 97
  • 제 3 절 난치암세포 및 NK세포 배양 microarray chip 개발 ... 99
  • 제 6 장 결 론 ... 100
  • 약어표 ... 103
  • 기술문서 구성표 ... 104
  • 끝페이지 ... 108

표/그림 (68)

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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