초록 ▼

초전도 선재는 초전도박막의 결정들이 잘 정렬될수록 임계전류가 높게 흐른다. 초전도층의 높은 임계전류를 위하여 기판 최상위층의 결정배향성을 높이기 위한 많은 연구가 있었지만 기판의 각 결정들마다의 평균 어긋남 각도를 최소 6도까지 밖에 줄이지 못했다.
그러나 우리는 연관된 실험에서 알게 된 SCA(Spotaneous Crystal Alignment) 기술을 통하여 기판에서 결정간의 결정축 어긋남 각도를 0.5도 이내까지 줄일 수 있게 되었다. SCA 기술이란 기판 위에 FeCo층을 증착하고 그 속의 각 결정들을 일렬로 정렬화시키

초전도 선재는 초전도박막의 결정들이 잘 정렬될수록 임계전류가 높게 흐른다. 초전도층의 높은 임계전류를 위하여 기판 최상위층의 결정배향성을 높이기 위한 많은 연구가 있었지만 기판의 각 결정들마다의 평균 어긋남 각도를 최소 6도까지 밖에 줄이지 못했다.
그러나 우리는 연관된 실험에서 알게 된 SCA(Spotaneous Crystal Alignment) 기술을 통하여 기판에서 결정간의 결정축 어긋남 각도를 0.5도 이내까지 줄일 수 있게 되었다. SCA 기술이란 기판 위에 FeCo층을 증착하고 그 속의 각 결정들을 일렬로 정렬화시키는 기술을 말한다.
SCA 기술의 기본적인 특성은 다음과 같다.

1. 단결정 수준 결정축 정렬: EBSD 측정 결과 0.5도 이내로 정렬되어 있음
2. SCA 물질이 증착되는 순간 결정이 자발적으로 정렬됨
3. 하부 기판층 물질의 결정배향성이 좋지 못하더라도 SCA층이 단결정 수준으로 정렬됨
4. 증착률이 높을 때 본 현상이 발생함
5. 하부 기판층 물질의 결정사이즈가 수십 nm 이하일 때 본 현상이 일어남

(출처 : 초록 3p)

Abstract ▼

Ⅱ. Purpose and Necessity of R & D
In the superconducting wire, the critical current flows as the crystals of the superconducting thin film are well aligned. Many studies have been made to increase the crystal orientation of the uppermost layer of the substrate for the high critical current of the

Ⅱ. Purpose and Necessity of R & D
In the superconducting wire, the critical current flows as the crystals of the superconducting thin film are well aligned. Many studies have been made to increase the crystal orientation of the uppermost layer of the substrate for the high critical current of the superconducting layer, but the average mis-orientation angle of each crystal of the substrate has been reduced to at least 6 degrees.
However, we can reduce the crystal mis-orientation angle between the crystals on the substrate by 0.5 degrees through the Spontaneous Crystal Alignment (SCA) technology found in the related experiment. SCA technology refers to a technique of depositing a FeCo layer on a substrate and aligning each crystal in the line.
The purpose of this study is to find out how the characteristics of superconducting layers are improved by depositing superconducting layers on crystal-oriented substrates by SCA technology.

III. Content and scope of R & D
■ Identifying SCA phenomenon mechanism
-Identification of COA phenomenon mechanism through simulation, accident test and verification test
■ Development of materials applicable to SCA development mechanism
-Development of various materials that can be applied to the COA phenomenon mechanism verified through experiments

Ⅳ. R & D Results
1. Domestic application: 10-2019-012937
2. PCT Application: PCT / KR2019 / 014492

Ⅴ. Application Plan of R & D Results
■ Manufacture of second-generation superconducting wire substrate with the world's first single crystal level (in plane half width <0.5 degrees)
■ It can contribute to the simplification of commercial substrate manufacturing process, improved yield, and low process cost
■ It can be Applied to various functional thin films requiring single crystal substrate

(출처 : SUMMARY 5p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 초록 ... 3
• 요 약 문 ... 4
• S U M M A R Y ... 5
• C O N T E N T S ... 7
• 목차 ... 8
• 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 9
• 제 1 절 차세대 초전도선재 정의 ... 9
• 제 2 절 연구개발 기술의 개요 ... 10
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 12
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 14
• 제 1 절 기술 요약 ... 14
• 제 2 절 SCA 기술의 기본 특징 ... 15
• 제 3 절 SCA 메카니즘 ... 21
• 제 4 절 SCA 적용 가능 물질 ... 22
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 23
• 제 1 절 연구개발 목표 ... 23
• 제 2 절 관련 분야에의 기여도 ... 25
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 26
• 제 6 장 참고문헌 ... 27
• 끝페이지 ... 29