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NTIS 바로가기주관연구기관 | 아주대학교 Ajou University |
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연구책임자 | 이재진 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-04 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100000812 |
과제고유번호 | 1711088622 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-06-05 |
키워드 | 유기금속화학증착법.갈륨비소.유연한 태양전지.고효율.다중접합.나노구조. |
○ 연구개요
본 연구에서는 새로운 Ge precursor인 IBuGe 물질을 이용한 MOCVD Ge 에피성장을 연구하고, 역방향 InGaP/(In)GaAs 태양전지 성장 기술과 고품질 Ge을 에피성장 기술을 결합하여 격자정합형 초경량 고효율 플렉시블 InGaP/(In)GaAs/Ge 삼중접합 태양전지를 세계 최초로 구현함. 또한 Ge에 MAC etching기술을 적용하여 효율 향상을 연구함.
○ 연구 목표대비 연구결과
○ Ge 나노구조 태양전지 연구
Ge과 금속의 산화 환원 반응을 이용한 식각 방법을 이용
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