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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경희대학교 Kyung Hee University |
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연구책임자 | 이승현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-01 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202100001841 |
과제고유번호 | 1711081736 |
사업명 | 핵융합기초연구(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-06-19 |
키워드 | 내방사선 소자.2차원 나노소재.와이드 밴드갭 소재.핵융합.접합형 트랜지스터.Radiation hardened devices.2 dimensional material.wide bandgap semiconductors.Nuclear fusion.Junction transistor. |
○ 연구의 목적 및 내용
극한의 방사선 환경에서 반도체 소자는 SEE와 TID현상으로 인해 급격하게 노화된다. 이러한 문제는 현재 사용되는 실리콘의 물성(밴드갭, 변위에너지)과 트랜지스터의 구조(절연체, pn접합과 공핍층)와 깊은 관련이 있다. 본 연구에서는 이러한 문제를 보다 근본적으로 해결하기 위해 실리콘 물질이 아닌 나노소재와 와이드 밴드갭 소재로 새로운 소자 구조를 개발하고 전자시스템을 설계하는 것을 목표로 한다.
• 신물질의 내방사선 특성 분석 및 최적화 물질로 소자 제작.
• 방사선 환경에서 소자 측정,
○ Purpose & Contents
Semiconductor devices experience rapid degradation in high radiation environment due to SEE and TID phenomenon. This problem is closely related to silicon’s material characteristics (bandgap, displacement energy) and the structure of the transistor(dielectric, pn junctions, d
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