초록 ▼

- Molecular beam epitaxy법을 이용한 GaN 반도체의 다중 박막구조 성장 연구를 수행함. AlN layer의 나노두께로 조절을 통해서 변화되는 GaN의 구조적, 광학적 특성의 변화를 연구
- Hydrothermal 성장법을 이용한 다양한 형태의 나노 ZnO 성장 및 형성 메커니즘 연구
- 다중 구조 강자성 반도체에 응용하고자 양자구조의 이론적 분석을 위해서 self-consistent band 구조와 wave functions의 이론적 해석 연구
- Diluted Magnetic Semiconduc

- Molecular beam epitaxy법을 이용한 GaN 반도체의 다중 박막구조 성장 연구를 수행함. AlN layer의 나노두께로 조절을 통해서 변화되는 GaN의 구조적, 광학적 특성의 변화를 연구
- Hydrothermal 성장법을 이용한 다양한 형태의 나노 ZnO 성장 및 형성 메커니즘 연구
- 다중 구조 강자성 반도체에 응용하고자 양자구조의 이론적 분석을 위해서 self-consistent band 구조와 wave functions의 이론적 해석 연구
- Diluted Magnetic Semiconductor Quantum Wells 구조의 Mixed Phase Transitions 연구
- 강자성 반도체 다층구조를 기반으로한 II-VI 화합물 반도체구조의 물성 연구
- Spin 소자 구조로써 강자성 반도체와 서로 다른 자유도를 가지고 있지만 이와 같은 서로 다른 자유도가 상호결합을 통해서 소자 동작이 가능하게 되는 구조의 설계 연구
- 최적의 강자성 반도체 다중/복합 구조 설계를 통해 Spin 물성 메커니즘 연구

(출처 : 보고서 요약서 3p)

Abstract ▼

Ⅳ. Results
The project result was obtained of ferromagnetic semiconductor thin films and multilayers with the enhanced Curie temperature. And spin-devices was built for checking the technical performance of the ferromagnetic multilayers developed.
So far, experimental measurements of ferromagn

Ⅳ. Results
The project result was obtained of ferromagnetic semiconductor thin films and multilayers with the enhanced Curie temperature. And spin-devices was built for checking the technical performance of the ferromagnetic multilayers developed.
So far, experimental measurements of ferromagnetic semiconductors cannot discriminate any of the mentioned above interaction mechanisms. In order to tell the dominant mechanism accounting for the existence of long-range spin order in ferromagnetic semiconductors it is instructive to trace the evolution of their magnetic properties on crossing the metal-insulator transition by simultaneous doping with Mn-related and nonmagnetic impurities. This would allow changing the carrier density at a constant concentration of magnetic atoms.
The importance of result was consisted in the establishing of the main mechanism of ferromagnetic ordering in ferromagnetic semiconductors GaMnAs. After that the main road for increasing of the Curie temperature in multi-layed structure of diluted magnetic semiconductors were determined and developed.
The result of this project is to improve and optimize the fabrication of ferromagnetic semiconductor thin films and multilayers for spintronic applications. Magnetic thin films and multilayers involving ferromagnetic semiconductors GaMnAs can be easily integrated into semiconductor circuitry.

(출처 : SUMMARY 7p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요 약 문 ... 5
• SUMMARY ... 7
• CONTENTS ... 9
• 목차 ... 10
• 제1장 연구개발과제의 개요 ... 11
• 제2장 국내외 기술개발 현황 ... 11
• 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 12
• 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 25
• 제5장 연구개발결과의 활용계획 ... 26
• 1) 학문적 가치 ... 26
• 2) 기술적 파급효과 ... 26
• 3) 국제화 효과 ... 26
• 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 26
• 제7장 참고문헌 ... 27
• 끝페이지 ... 28