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NTIS 바로가기주관연구기관 | 나노종합기술원 |
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연구책임자 | 이완규 |
참여연구자 | 정칠성 , 임성규 , 김광희 , 노길선 , 강광용 , 백문철 , 최상국 |
보고서유형 | 연차보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-12 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100009475 |
과제고유번호 | 1711125533 |
사업명 | 한국과학기술원부설나노종합기술원지원(R&D)(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2021-08-28 |
키워드 | 6세대/테라헤르츠 통신.쇼트키 장벽 다이오드.쇼트키 다이오드 혼합기.6G/THz Communications.Schottky Barrier Diode (SBD).Schottky Diode Mixer(SDM). |
연구목표
THz 무선 통신용 쇼트기 다이오드 기반 기술의 확보와 쇼트기 소자/부품의 개발
◦ THz용 SBD 부품 설계, 제작 및 성능개선 (나노팹 기반의 반도체집적공정 ) ◦SBD 부품의 양산성 검증
연구내용
쇼트키 장벽 다이오드(SBD)는 능동소자(트랜지스터)와 같이 이득(gain)을 제공하기보다는, 오히려 주파수 병진 또는 체배에 주로 사용된다. 따라서 쇼트키 다이오드는 다른 능동소자들 즉, 발진기(예, Gunn, BWO 등)나 증폭기(트랜지스터 기반) 등과 짝을 이루어 RF 시스템에 들어간다. 그
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