표 본 연구에서 개발한 양자점 발광소재 모식도 표 InP/ZnSe 양자점 내 에너지 준위의 이동. (A) InP/ZnSe (r/h = 1,9/2.2 nm) 양자점 내계면 다이폴 밀도 (ρ)에 따른 양자점 박막의 UPS 스펙트럼 변화, (B) 계면 다이폴 밀도에 따른 에너지 준위 이동과 양자역학 계산을 통해 계산된 양자점 소재의 밴드갭 및 에너지 준위 변화 표 InP/ZnSe 양자점의 광특성 변화. 계면 다이폴 밀도 변화에 따른 InP/ZnSe (r/h = 1.9/2.2 nm) 양자점의 (A) 흡수 및 (B) PL 스펙트럼 변화, (C) 엑시톤 동역학 및 Overlap integral과 발광결합속도 간의 상관관계 표 고효율 양자점 전계발광소자. (A) 전계발광소자 구조모식도 및 소자 내 에너지 준위 분포, (B) 전계발광소자의 외부양자효율
표 본 연구에서 개발한 양자점 발광소재 모식도 표 InP/ZnSe 양자점 내 에너지 준위의 이동. (A) InP/ZnSe (r/h = 1,9/2.2 nm) 양자점 내계면 다이폴 밀도 (ρ)에 따른 양자점 박막의 UPS 스펙트럼 변화, (B) 계면 다이폴 밀도에 따른 에너지 준위 이동과 양자역학 계산을 통해 계산된 양자점 소재의 밴드갭 및 에너지 준위 변화 표 InP/ZnSe 양자점의 광특성 변화. 계면 다이폴 밀도 변화에 따른 InP/ZnSe (r/h = 1.9/2.2 nm) 양자점의 (A) 흡수 및 (B) PL 스펙트럼 변화, (C) 엑시톤 동역학 및 Overlap integral과 발광결합속도 간의 상관관계 표 고효율 양자점 전계발광소자. (A) 전계발광소자 구조모식도 및 소자 내 에너지 준위 분포, (B) 전계발광소자의 외부양자효율
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