초록 ▼

□ 연구개발 목표 및 내용
￭ 최종 목표
○ 이종기판 위에 성장되는 커런덤 구조 기반 산화갈륨계 화합물[(Al,In,Ga)₂O₃]의 조성 제어 기술 개발
￭ 전체 내용
1) MIST-CVD를 이용한 이종기판 위에 커런덤 구조 산화갈륨(α-Ga₂O₃) 성장 및 박막 품질 개선
2) 산화갈륨계 화합물[(Al,In,Ga)₂O₃] 박막 증착 및 성장온도에 따른 상전이 특성 연구
3) 3성분계

□ 연구개발 목표 및 내용
￭ 최종 목표
○ 이종기판 위에 성장되는 커런덤 구조 기반 산화갈륨계 화합물[(Al,In,Ga)₂O₃]의 조성 제어 기술 개발
￭ 전체 내용
1) MIST-CVD를 이용한 이종기판 위에 커런덤 구조 산화갈륨(α-Ga₂O₃) 성장 및 박막 품질 개선
2) 산화갈륨계 화합물[(Al,In,Ga)₂O₃] 박막 증착 및 성장온도에 따른 상전이 특성 연구
3) 3성분계 조성의 조절을 통한 산화갈륨계 화합물의 밴드갭 제어 기술 개발
￭ 1차년도
• 목표
○ MIST-CVD를 이용한 이종기판 위에 커런덤 구조 산화갈륨(α-Ga₂O₃) 성장 및 박막 품질 개선
• 내용
1. 산화갈륨용 MIST-CVD 열역학 반응 설계 및 셋업 구축
2. 이종기판 위에 성장 박막 품질 개선을 위한 변수 제어 및 시스템 안정화
￭ 2차년도
• 목표
○ 산화갈륨계 화합물[(Al,In,Ga)₂O₃] 박막 증착 및 성장온도에 따른 상전이 특성 연구
• 내용
1. Al 및 In 주입을 통한 3성분계 산화갈륨 화합물 박막 성장
2. 성장온도 증가에 따른 산화갈륨 화합물의 상전이 특성 연구
￭ 3차년도
• 목표 : 3성분계 조성의 조절을 통한 산화갈륨계 화합물의 밴드갭 제어 기술 개발
• 내용
1. 3성분계 화합물의 성분 조절을 통한 격자상수 및 밴드갭 가변 성장
2. 박막 품질 및 분석 기술 고도화

□ 연구개발성과
(1) 정성적 성과
- MIST-CVD를 이용한 이종기판 위에 커런덤 구조 산화갈륨(α-Ga₂O₃) 성장 및 박막 품질 개선
- 산화갈륨계 화합물[(Al,In,Ga)₂O₃] 박막 증착 및 성장온도에 따른 상전이 특성 분석
- 3성분계 조성의 조절을 통한 산화갈륨계 화합물의 밴드갭 제어 기술 개발
(2) 정량적 성과
- 전문학술지 논문게재 성과: SCI 3편, KCI 1편
- 학술대회 논문발표 성과: 국내 9편
- 언론보도 성과: 1건

□ 연구개발성과 활용계획 및 기대 효과
(1) (경제적·산업적) 산화갈륨계 에피박막 성장 및 조성제어 기술은 결함밀도 감소 및 열전도도 향상을 통해 국내 기술력 확보 및 국가 과학기술 경쟁력 제고
(2) (학문적·기술적) 신소재, 화학, 물리, 전기전자 분야간 통합 연구가 지속가능하며, 향후 심자외선 영역에서 새로운 광전자 소재로 활용될 것으로 기대

(출처 : 요약문 2p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 요 약 문 ... 2
• 목차 ... 3
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
• □ 차세대 전력반도체용 산화갈륨(Ga2O3) 소재의 시대 도래 ... 4
• □ 연구 착안 : 커런덤 구조 산화갈륨계 화합물 조성 제어의 필요성 ... 4
• 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 5
• □ MIST-CVD내 커런덤 산화갈륨 에피택시 박막 성능 개선 ... 6
• □ 3성분계 산화갈륨 화합물 박막 증착 및 상전이 특성 연구 ... 7
• □ 산화갈륨계 화합물의 박막 품질 개선 및 분석 방법 고도화 ... 8
• 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 정도 ... 9
• 1) 연구수행 결과 ... 9
• 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도 ... 19
• 1) 소재 기술 개발 분야 ... 19
• 2) 부품 기술 개발 분야 ... 19
• 3) 장비 기술 개발 분야 ... 19
• 4) 경제·산업 분야 ... 19
• 5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 20
• 1) 성과 관리 추진 체계 ... 20
• 2) 연구개발 성과 활용분야 및 활용방안 ... 20
• 3) 추가 연구 필요성 ... 20
• 4) 기업화 추진 및 기술이전 방안 ... 20
• 6. 참고문헌 ... 20
• 끝페이지 ... 20