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물리기반 다결정 실리콘 채널 나노 와이어 트랜지스터 컴팩트 모델링
Physics-based Compact Modeling of Poly-Silicon Channel Nanowire 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 건국대학교
KonKuk University
연구책임자 전종욱
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2020-09
과제시작연도 2020
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202100015268
과제고유번호 1711108832
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2021-10-16
키워드 다결정 실리콘.나노와이어.컴팩트 모델.적층형 반도체.집적회로 설계.표면전위기반 모델.

초록

□ 연구개요
Channel length scaling에 따른 short-channel 효과 증가로 인해 gate controllability 향상을 위해 nanowire와 같은 gate-all-around 구조의 반도체 소자가 planar MOSFET, FinFET 소자 구조 이후 주목받고 있다. 또한, 공정상 3차원 integration 으로 인해 poly-silicon의 활용 중요성이 갈수록 증가하고 있다. 따라서, poly-silicon기반 nanowire(poly-Si NW) MOSFET의 memory/logic 응용에

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 및 중요성 ... 4
  • 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 6
  • 4. 참고문헌 ... 14
  • 5. 연구성과 ... 14
  • 대표적 연구실적 ... 16
  • 끝페이지 ... 19

표/그림 (8)

참고문헌 (25)

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