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원자층 증착 공정에서의 층덮임 특성예측 수학적 모델식 최적화를 위한 금속 산화막 성막 kinetics 연구 및 응용
Investigation of kinetics of metal oxide film growth for mathematical modeling of conformal characteristics on ALD process 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 전남대학교
Chonnam National University
연구책임자 김도형
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2020-10
과제시작연도 2020
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
과제관리전문기관 한국연구재단
National Research Foundation of Korea
등록번호 TRKO202100015382
과제고유번호 1711110534
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2021-10-23
키워드 전산모사.원자층 증착법.층덮임.QCM센싱.

초록

□ 연구개요
본 연구에서는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)에서의 층덮임(conformality) 특성을 예측할 수 있는 수학적 모델식 개발을 위한 성막 kinetics 연구 및 전산 모사 기반 구축을 위한 실험적 핵심 변수 도출하는 것임. 또한 이를 통하여 3차원 ALD 공정(Atomic Layer Deposition, ALD) 전산 모사용 수학적 모델식의 개발 및 최적화는 것임. 이러한 목표를 달성하기 위하여 모델 ALD 반응 공정에 대한 장치의 설계와 증착조건 최적화가 진행되었고, 얻어진

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 1-1. 연구의 최종 목표 ... 4
  • 1-2. 연차별 연구 목표, 내용 및 범위 ... 4
  • 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 5
  • 2-1. 원자층 증착 시스템 구축과 QCM 센싱 시스템 연구 ... 5
  • 2-2. 층덮임 예측을 위한 3차원 ALD 전산 모사 최적화 연구 ... 8
  • 2-3. ALD 공정 최적화 및 ALD conformality 특성 응용 연구 ... 14
  • 3. 연구개발결과의 중요성 ... 17
  • 3-1. 원자층 증착 공정의 응용성 ... 17
  • 3-2. 본 연구 결과의 활용성 ... 17
  • 4. 참고문헌 ... 18
  • 5. 연구성과 ... 19
  • 대표적 연구실적 ... 21
  • 끝페이지 ... 31

표/그림 (10)

참고문헌 (25)

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