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NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산과학기술원 Ulsan National Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 정후영 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-03 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100017188 |
과제고유번호 | 1711115211 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-02-12 |
키워드 | 저항변화메모리.투과전자현미경.2차원 물질.실시간.메커니즘.ReRAM.TEM.2D materials.in situ.mechanism. |
□ 연구개요
차세대 인공지능 시대에서 핵심이 될 뉴로모픽 컴퓨팅 소자의 중요한 부분인 비휘발성 메모리인 저항 변화 메모리 (Resistive random access memory, ReRAM)가 주목 받고 있음. 2차원 물질을 기반으로 한 저항 변화 메모리 소자를 제작하고 이의 저항 스위칭 현상을 확인함. 이 현상을 유도하는 저항 변화 메커니즘을 명확히 규명하기 위해 투과전자현미경 (TEM) 안에서 전압을 실시간으로 인가할 수 있는 시스템을 구축하여 고저항 (On)과 저저항 (Off) 상태의 변화를 실시간으로 물리적, 화학적,
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