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NTIS 바로가기주관연구기관 | 대구대학교 DaeGu University |
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연구책임자 | 윤재중 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-11 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202200003284 |
과제고유번호 | 1711059217 |
사업명 | 개인기초연구(미래부) |
DB 구축일자 | 2022-06-25 |
키워드 | GaN.Gate Driver.Reverse Recovery Current.High Efficiency.High Power Density.Power Conversion Circuit.Renewable Energy.Electric Vehicle.High Frequency. |
연구개요
전기자동차, 신재생에너지, 가전 등 다양한 산업에 사용되고 있는 전기시스템에서는 최근 들어 매우 높은 전기적 효율과 전력밀도를 요구하고 있다. 이러한 요구를 만족하기 위해서는 GaN (Gallium Nitride Field Effect Transistor) FET에 관한 연구가 필요하므로 본 과제를 수행하게 되었다. 본 과제에서는 GaN의 우수한 전기적 특징인 작은 Gate Charge, Reverse Recovery Current, 빠른 스위칭 속도, 작은 도통 저항의 장점을 전기시스템에 활용하기 위하여 GaN To
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