![[수식]가열 시 VO2의 전자 및 결정 구조의 변화. (a) ≈ 55℃ 와 ≈ 63℃사이에 급격한 저항(R) 감소에 의한 절연체-금속 전이 (IMT). 샘플의 단면 SEM 이미지를 삽입됨. (b) 샘플의 실온 θ-2θ XRD 패턴. (c) 단사정(M) 및 rutile(R) VO2에서 축외 XRD 피크의 변화. (d) 아래 영역을 일으키는 가열에 의한 (삽입)의 FWHM의 변화: Mott 전 이 결과로 단사정 절연체상(MIP)로 부터 55-60℃ 사이에서 단사정 금속상 (MMP) 영역; 단사정 변형(FWHM의 증가)에 의하여 나타나는 ≻ 60℃에서 rutile 금속상(RMP)의 핵형성과, 결과적으로 60-70℃ 사이에 MMP+RMP 영역; 70℃ 이상에서 SPT에 의해 형성된 RMP 영역](https://nrms.kisti.re.kr/bitextimages/TRKO202200004826/TRKO202200004826_122_image_173.png "[수식]가열 시 VO2의 전자 및 결정 구조의 변화. (a) ≈ 55℃ 와 ≈ 63℃사이에 급격한 저항(R) 감소에 의한 절연체-금속 전이 (IMT). 샘플의 단면 SEM 이미지를 삽입됨. (b) 샘플의 실온 θ-2θ XRD 패턴. (c) 단사정(M) 및 rutile(R) VO2에서 축외 XRD 피크의 변화. (d) 아래 영역을 일으키는 가열에 의한 (삽입)의 FWHM의 변화: Mott 전 이 결과로 단사정 절연체상(MIP)로 부터 55-60℃ 사이에서 단사정 금속상 (MMP) 영역; 단사정 변형(FWHM의 증가)에 의하여 나타나는 ≻ 60℃에서 rutile 금속상(RMP)의 핵형성과, 결과적으로 60-70℃ 사이에 MMP+RMP 영역; 70℃ 이상에서 SPT에 의해 형성된 RMP 영역")
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| 주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
|---|---|
| 연구책임자 | 노태문 |
| 보고서유형 | 최종보고서 |
| 발행국가 | 대한민국 |
| 언어 | 한국어 |
| 발행년월 | 2021-12 |
| 과제시작연도 | 2021 |
| 주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
| 연구관리전문기관 | 정보통신기획평가원 Institute of Information&Communications Technology Planning&Evaluation |
| 등록번호 | TRKO202200004826 |
| 과제고유번호 | 1711126040 |
| 사업명 | 방송통신산업기술개발(R&D,정보화) |
| DB 구축일자 | 2022-07-09 |
| 키워드 | 급격한 전하방전.점프특성.양자점프 트랜지스터.스위칭소자.열점 방열소자.MIT.MITR.QJT.NDR.Heat Spot. |
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