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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 송윤흡 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-06 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
연구관리전문기관 | 한국산업기술평가관리원 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO202200007051 |
과제고유번호 | 1711058683 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2022-09-03 |
제1장 서론
제1장 제1절 과제의 개요
◯ Spin-Transfer-Torque Magnetoresistance RAM (STT-MRAM)은 비휘발성, 고집적, 저전력 및 고속 동작이 가능한 메모리 소자로써, 향후 DRAM을 대체할 소자로 가장 가능성 있는 메모리임. 이에 따라 현재 STT-MRAM의 상용화를 목표로 하는 학계 및 산업계의 연구 방향은 아래와 같음.
- Critical current density (Jcritical) < 1MA/cm2
- Resistan
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