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NTIS 바로가기주관연구기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
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연구책임자 | 이장식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-06 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
과제관리전문기관 | 한국산업기술평가관리원 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO202200007074 |
과제고유번호 | 1711058689 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2022-09-03 |
키워드 | 저항변화 메모리.비휘발성.선택소자.고집적.셀 어레이. |
3. 개발결과 요약
□ 최종목표
고집적 cross-point array 적용 가능 메모리 소자에 적용 가능한 저항변화 메모리용 신재료 개발, ALD 기반 3D 저항변화 메모리용 재료 개발 및 나노템플릿 기반 나노 소자 물선 분석 기술 개발, 절연체-금속 전이(IMT) 산화물 선택소자 신재료 개발, IMT 기반 선택 소자와 RRAM 적층 구조 개발 및 신뢰성 확보에 목표를 두고있음.
□ 개발내용 및 결과
본 과제에서는 저항변화 메모리용 신소재 및 선택소자의 거동 매커니즘 분석을 통해 소자 최적화를 진행하여
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