초록 ▼

3. 개발결과 요약
□ 최종목표
가. 강화유리 적용과 위조지문 감별이 가능한 모바일 지문인식 센서모듈 개발 및 사업화
나. RF 방식의 위조지문 솔루션 개발
1) 위조지문을 감지할 수 있는 소형화된 트랜스듀용 안테나 개발 및 지문센서 모듈에 실장
2) 트랜스듀서 안테나 구동 전용칩 개발.
가) 수십 MHz대의 가변주파수 인가 기능 포함.
나) 인가된 가변주파수에 따라 변화하는 전기적 특성의 실시간 리드 기능 포함.
3) 위조지문 감지 전용 알고리즘 개발.
가) 벡터베이스의 고감도 지문

3. 개발결과 요약
□ 최종목표
가. 강화유리 적용과 위조지문 감별이 가능한 모바일 지문인식 센서모듈 개발 및 사업화
나. RF 방식의 위조지문 솔루션 개발
1) 위조지문을 감지할 수 있는 소형화된 트랜스듀용 안테나 개발 및 지문센서 모듈에 실장
2) 트랜스듀서 안테나 구동 전용칩 개발.
가) 수십 MHz대의 가변주파수 인가 기능 포함.
나) 인가된 가변주파수에 따라 변화하는 전기적 특성의 실시간 리드 기능 포함.
3) 위조지문 감지 전용 알고리즘 개발.
가) 벡터베이스의 고감도 지문이미지 프로세싱 알고리즘 개발.
나) 벡터베이스의 지문이미지 분석을 통해 위조지문 제조 시 발생하는 융선과 골 형상의 왜곡을 감지하는 위조지문 감지 알고리즘 개발.
다) 지문센서의 출력값을 기초로 손가락의 물성을 감지하고, 이상 물성의 위조지문을 차단하는 위조지문 감지 알고리즘 개발
4) 300㎛ 이상의 강화유리를 투과할 수 있는 강화유리 전용 지문센서 패키지 설계
가) 지문센서 패키지의 몰딩 클리어런스를 최소화하여 동작 가능한 강화유리 두께 확보 (몰딩 클리어런스 70㎛ 이하 확보)
나) 커버 유리 일체형 지문 센서 모듈 생산 기술 개발
다) 센서 라미네이션 자동화 장치 개발(센서 내 기포발생 최소화 및 고유전율확보 가능한 라미네이션 수행)
5) 300㎛ 이상의 강화유리를 투과할 수 있는 강화유리 전용 지문센서 IC 설계 (저잡음/High gain 설계 블록이 포함된 센서 IC 개발)
6) 지문인식센서 오인식률(FAR)≤0.01%, 오거부율(FRR)≤2%, 위조수락율(SAR)≤10%
7) 초산비닐(Poly-Vinyl) & 실리콘 그라파이트(Si-G) 위조 지문 감별 기술 개발
8) 위조지문 감별 응답속도 ≤1sec, 지문인식 센서 인증시간≤0.5sec 구현

□ 개발내용 및 결과
가. 주관기관(크루셜텍)
1) 300㎛ 이상의 강화유리 투과 가능한 센서 모듈 개발
가) 강화유리를 사이에 두고 안테나와 접촉되는 손가락의 자기적, 전기적, 외형적 특성을 감지하고, 안테나와 일체화된 RF신호 수신체 개발
나) 위조지문 감지에 최적화된 RF신호 수신체의 Spec 설정. (자기장 강도 설정, RF신호 수신체의 유도성 & 용량성 신호 수신 비율 설정, 총 접촉면적, 인가주파수 설정)
다) 사용자 UX를 고려한 RF신호 수신체 배치 결정.
2) 300㎛ 이상의 강화유리 투과 가능한 센서 개발
가) 강화유리 두께 300㎛ 투과를 위해 센서 성능 최적화 및 Booster 개발
나) ADC와 호환성 개발
3) 강화 유리 일체형 지문 센서 모듈 생산 공정 최적화 기술 개발(기포/변형 최소화를 위한 공정 최적화 기술 개발)
가) 강화유리와 지문인식모듈 라미네이션용 점착제 확보
나) 기포 발생을 최소화 하는 라미네이션 공정 기술 개발
다) 경화 중 변형 최소화 및 잔여 기포 제거 공정 기술 개발
4) 개발결과
가) 위조지문을 감지할 수 있는 소형화된 트랜스듀서용 안테나 개발 및 모듈화 완료
나) 300㎛ 이상의 강화유리를 투과할 수 있는 강화유리 전용 지문센서 IC 개발 완료 (오인식률(FAR)≤0.01%, 오거부율(FRR)≤2% 달성)
다) 300㎛ 이상의 강화유리를 투과할 수 있는 강화유리 전용 지문센서 패키지 개발 완료 (몰딩 클리어런스 70㎛ 이하 달성)
라) 위조지문 감지 전용 알고리즘 개발.
① 벡터베이스의 고감도 지문이미지 프로세싱 알고리즘 개발.
② 벡터베이스의 지문이미지 분석을 통해 위조지문 제조시 발생하는 융선과 골 형상의 왜곡을 감지하는 위조지문 감지 알고리즘 개발.
③ 지문센서의 출력값을 기초로 손가락의 물성을 감지하고, 이상 물성의 위조지문을 차단하는 위조지문 감지 알고리즘 개발
마) 300㎛ 이상의 강화유리를 투과할 수 있는 강화유리 전용 지문센서 패키지 설계
① 지문센서 패키지의 몰딩 클리어런스를 최소화하여 동작 가능한 강화유리 두께 확보 (몰딩 클리어런스 70㎛ 이하 확보)
② 커버 유리 일체형 지문 센서 모듈 생산 기술 개발
③ 센서 라미네이션 자동화 장치 개발(센서 내 기포발생 최소화 및 고유전율확보 가능한 라미네이션 수행)
바) 300㎛ 이상의 강화유리를 투과할 수 있는 강화유리 전용 지문센서 IC 설계
① 저잡음/High gain 설계 블록이 포함된 센서 IC 개발
사) 지문인식센서 오인식률(FAR)≤0.01%, 오거부율(FRR)≤2%, 위조수락율(SAR)≤10%
아) 초산비닐(Poly-Vinyl) & 실리콘 그라파이트(Si-G) 위조지문 감별 기술 개발
자) 위조지문 감별 응답속도 ≤1sec, 지문인식 센서 인증 시간 ≤0.5sec 구현

나. 참여기관1(다모아텍)
1) 위조지문 트랜스듀서 안테나 구동 전용칩 개발
가) 일반적인 위조 지문 제작에 쓰이는 소재 (실리콘그라파이트, 폴리비닐, 실버잉크)를 위조 감별
2) 개발 결과
다. 참여기관2(울산과학기술원)
1) 10 bits resolution의 SAR ADC 설계
2) 개발 결과

□ 기술개발 배경
가. 최근 국정감사에서도 위조 지문을 이용하여 아이폰을 해킹하여 고가의 금액을 부정 결제하는 사례를 지적하며, 지문센서의 보안 문제를 지적하였다. 원칙적으로 지문센서는 도전성 텍스처를 모방하여 만든 위조 지문에 취약하며, 지문센서 제조사 및 스마트폰 제조사는 이에 대한 보안 강화에 대해 확실한 솔루션을 제공한 바가 없음.
나. 현재 70% 이상의 스마트폰에 생체인식 센서를 채용하여 전자 결제등 핀테크의 생태계의 중요기술로 사용되고 있는 실정임. 따라서, 핀테크의 사용자 보안을 강화하는 신규 기술의 개발과 도입이 반드시 필요함

□ 핵심개발 기술의 의의
가. 이전에도 위조 지문을 감별하기 위하여, 광학 센서나 인체 임피던스(Body Impedance) 등을 측정하는 센서가 존재했으나, 광학적, 전기적 물성까지 모방한 위조 지문에는 여전히 취약한 문제가 있음.
나. 따라서, 위조 지문을 완벽하게 차단하는 솔루션이 존재하지 않았기 때문에, 세계최초로 위조지문을 완벽하게 차단하는 솔루션의 개발 성공은 국산화 기술의 위상을 높이고 글로벌 시장의 진출의 가능성을 높일 수 있음

□ 적용 분야
모바일, 태블릿, 노트북, 보안이 요구되는 개인/기업 SoC 제품

(출처 : 기술개발사업 최종보고서 초록 5p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 최종보고서 초록 ... 3
• 기술개발사업 주요 연구성과 ... 16
• 목차 ... 20
• 제 1 장 서론 ... 21
• 제 1 절 과제의 개요 ... 21
• 제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과(기술개발 내용 및 방법) ... 27
• 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 27
• 제 2 절 단계 목표 및 평가 방법 ... 33
• 제 3 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 34
• 제 4 절 수행 결과의 보안등급 ... 38
• 제 5 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 38
• 제 3 장 결과 ... 39
• 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 39
• 1. 추진 일정 및 실적 ... 39
• 2. 기술개발사업 주요 연구성과 ... 41
• 3. 구체적인 연구 성과 ... 42
• 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 44
• 1. 주관기관 (크루셜텍) ... 44
• 2. 참여기관1 (다모아텍) ... 55
• 3. 참여기관2 (울산과학기술원) ... 62
• 제 3 절 고용 창출 효과 ... 66
• 제 4 절 자체보안관리진단표 ... 67
• 제 4 장 사업화 계획 ... 70
• 제 1 절 시장 현황 및 전망 ... 70
• 제 2 절 사업화 계획 ... 74
• 1. 생산 계획 ... 74
• 2. 투자 계획 ... 74
• 3. 사업화 전략 ... 75
• 4. 제품 상용화 계획 및 일정 ... 76
• 제 3 절 향후 추가 기술 개발 계획(개발기술 응용 등) ... 78
• 끝페이지 ... 79