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NTIS 바로가기주관연구기관 | 아주대학교 Ajou University |
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연구책임자 | 오일권 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-06 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200017202 |
과제고유번호 | 1711135692 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-11-23 |
키워드 | 선택적 영역 증착.표면 반응.기체 분자의 선택성 영향.멤리스터 소자.3차원 나노 패턴.Area-selective atomic layer deposition.surface reaction.effects of precursor on selectivity.memristor device.3D nanopattern. |
□ 연구개요
본 연구에서는 선택적 원자층 증착 공정(Area-Selective Atomic Layer Deposition)을 개발하고, 개발된 공정을 메모리 전자 소자에 응용하는 연구를 진행한다. 선택적 원자층 증착 공정 개발을 위해, 표면의 활성/비활성 선택적 개질 연구를 진행하며, 전구체 분자와의 표면 반응 조절을 위해, 전구체 특성인 반응도, 극성, 기하 요소를 연구한다. 이후, 활성 표면 위 Al2O3와 HfO2 ALD 공정을 확보하고, 성장 특성을 비교 연구한
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