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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 유우종 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-03 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200018023 |
과제고유번호 | 1711114539 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-12-05 |
키워드 | 리튬 삽입.반데르발스 이종접합.수직형 소자.칼코겐전이금속.이동도.intercalation.van der Waals heterojunction.vertical transistor.TMD.Mobility. |
연구개요
2차원 물질의 반데르발스 동종 또는 이종접합 계면(van der Waals heterojunction)에 1 nm 이하의 간격 (van der Waals gap)이 존재하고, 에너지 장벽(van der Waals barrier)이 생긴다. 이로 인해 반데르발스 에너지 장벽은 전자가 수직-트랜지스터를 이동할 때 전자의 흐름을 일부 가로막아 전류량 및 이동도를 낮추는 원인이 된다. 본 연구에서는 수직트랜지스터의 그래핀-TMD-금속 적층 계면(동종 또는 이종계면)에 금속 이온을 삽입하여 계면에 존재하는 에너지 장벽을 제거한
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