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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 김은규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-09 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200018928 |
과제고유번호 | 1711110959 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2023-03-08 |
키워드 | 실리콘 박막.박막트랜지스터.신뢰성.결함상태.깊은준위분광법.silicon film.thin film transistor.reliability.defect states.DLTS. |
□ 연구개요
본 연구는 TFT채널 층인 실리콘 및 산화물반도체 박막의 결함제어와 함께 TFT 소자 신뢰성 향상을 위한 in-situ 분석기법을 연구하여, 디스플레이 소자의 성능 및 수명향상에 기여함을 연구목표로 하였다. 연구내용 및 방법으로는 CVD 또는 PVD 법으로 성장된 반도체 박막의 후처리에 따른 물성 및 결함상태를 분석한 후, 이들 박막으로 제조된 TFT 성능과의 상관관계를 분석하고 데이터베이스를 구축한다. 구축된 데이터베이스는 in-situ 결함상태 측정기법의 개발과 함께 소자신뢰성 향상에 기여하고자 하였다.
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