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[국가R&D연구보고서] 실리콘 반도체박막 결함제어와 TFT 신뢰성 향상을 위한 in-situ 분석기법
In-situ analysis method for improvement of TFT reliability through defect engineering 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한양대학교
HanYang University
연구책임자 김은규
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2021-09
과제시작연도 2020
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
연구관리전문기관 한국연구재단
National Research Foundation of Korea
등록번호 TRKO202200018928
과제고유번호 1711110959
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2023-03-08
키워드 실리콘 박막.박막트랜지스터.신뢰성.결함상태.깊은준위분광법.silicon film.thin film transistor.reliability.defect states.DLTS.

초록

□ 연구개요
본 연구는 TFT채널 층인 실리콘 및 산화물반도체 박막의 결함제어와 함께 TFT 소자 신뢰성 향상을 위한 in-situ 분석기법을 연구하여, 디스플레이 소자의 성능 및 수명향상에 기여함을 연구목표로 하였다. 연구내용 및 방법으로는 CVD 또는 PVD 법으로 성장된 반도체 박막의 후처리에 따른 물성 및 결함상태를 분석한 후, 이들 박막으로 제조된 TFT 성능과의 상관관계를 분석하고 데이터베이스를 구축한다. 구축된 데이터베이스는 in-situ 결함상태 측정기법의 개발과 함께 소자신뢰성 향상에 기여하고자 하였다.

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 1-1 연구의 필요성 ... 4
  • 1-2 연구개발의 목적 ... 5
  • 1-3 연구개발의 범위 및 최종목표 ... 6
  • 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 6
  • 2-1 제 1차년도 ... 6
  • 2-2 제 2차년도 ... 7
  • 2-3 제3차년도 ... 10
  • 2-4 제 4차년도 ... 14
  • 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 수준 ... 16
  • 1) 정성적 연구개발성과(연구개발결과) ... 16
  • 2) 세부 정량적 연구개발성과 ... 16
  • 3) 목표 달성 수준 ... 16
  • 4) 목표 미달 시 원인 분석 ... 19
  • 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도(연구개발결과의 중요성) ... 19
  • 5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 19
  • 6. 참고문헌 ... 20
  • 붙임1 세부 정량적 연구개발성과 ... 21
  • 붙임2 연구책임자 대표적 연구실적 및 증빙(요약문 및 사본) ... 25
  • 끝페이지 ... 41

표/그림 (24)

참고문헌 (25)

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