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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 백상현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-09 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200019034 |
과제고유번호 | 1711121063 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2023-03-14 |
키워드 | 고대역 메모리.옵테인 메모리.방사선 입자 주입 시뮬레이션.차세대 메모리 신뢰성.고장 모델링 분석.High-Bandwidth Memory.Optane Memory.Radiation Particle Injection Simulation.Next Generation Memory Reliability.Analysis of Fault Model Generation Mechanism. |
□ 연구개요
본 연구는 방사선 입자 주입 방식을 활용하여 High-Bandwidth Memory (HBM)와 Optane 메모리의 열화를 가속화 하는 시뮬레이션을 하고, 그에 따라 발생하는 메모리 특성의 열화 및 신뢰성 문제 연구를 목표로 하였다.
HBM과 Optane은 DDRx로 대표되는 메모리 인터페이스의 한계를 뛰어넘을 대안으로 떠오르며, 인공지능 (AI) 이나 빅데이터 솔루션, 데이터 센터 등에서 대규모로 쓰이고 있기 때문에 높은 신뢰성이 요구된다. 그러나 이들 메모리의 신뢰성 및 특성 열화 등은 아직 밝혀지지 않
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