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[국가R&D연구보고서] 방사선 입자 주입 방식을 활용한 차세대 메모리의 전기적 특성 평가를 통한 신뢰성 변화 연구
Study on the reliability changes of the next generation memories through the electrical characteristics evaluation using radiation particle injection method 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한양대학교
HanYang University
연구책임자 백상현
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2021-09
과제시작연도 2020
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
과제관리전문기관 한국연구재단
National Research Foundation of Korea
등록번호 TRKO202200019034
과제고유번호 1711121063
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2023-03-14
키워드 고대역 메모리.옵테인 메모리.방사선 입자 주입 시뮬레이션.차세대 메모리 신뢰성.고장 모델링 분석.High-Bandwidth Memory.Optane Memory.Radiation Particle Injection Simulation.Next Generation Memory Reliability.Analysis of Fault Model Generation Mechanism.

초록

□ 연구개요
본 연구는 방사선 입자 주입 방식을 활용하여 High-Bandwidth Memory (HBM)와 Optane 메모리의 열화를 가속화 하는 시뮬레이션을 하고, 그에 따라 발생하는 메모리 특성의 열화 및 신뢰성 문제 연구를 목표로 하였다.
HBM과 Optane은 DDRx로 대표되는 메모리 인터페이스의 한계를 뛰어넘을 대안으로 떠오르며, 인공지능 (AI) 이나 빅데이터 솔루션, 데이터 센터 등에서 대규모로 쓰이고 있기 때문에 높은 신뢰성이 요구된다. 그러나 이들 메모리의 신뢰성 및 특성 열화 등은 아직 밝혀지지 않

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 1.1. 연구 개발 목적 ... 4
  • 1.2. 연구 개발의 필요성 ... 4
  • 1.3. 연구 최종목표 ... 6
  • 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 6
  • 2.1. Geant4, TCAD을 활용한 메모리 cell 모델링 및 시뮬레이션 ... 6
  • 2.2. 3D 구조에 따른 메모리의 온도 특성과 열 지역성 측정 및 분포 평가 방법 ... 6
  • 2.3. 열화 가속화 방법과 Fault 모델 및 메모리 테스트를 위한 알고리즘 구현 ... 7
  • 2.4. HBM의 시스템 레벨 테스트 및 검증 ... 7
  • 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 수준 ... 8
  • 3.1. 정성적 연구개발성과(연구개발결과) ... 8
  • 3.2. 세부 정량적 연구개발성과 ... 8
  • 3.3. 목표 달성 수준 ... 8
  • 3.4. 목표 미달 시 원인 분석 ... 8
  • 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도(연구개발결과의 중요성) ... 8
  • 4.1. 경제적/사회적 의미 및 중요성 ... 9
  • 4.2. 학문적 의미 및 중요성 ... 9
  • 5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 10
  • 5.1. 활용분야 및 방안 ... 10
  • 5.2. 추가 연구의 필요성 ... 10
  • 6. 참고문헌 ... 10
  • 붙임1 세부 정량적 연구개발성과 ... 11
  • 붙임2 연구책임자 대표적 연구실적 및 증빙(요약문 및 사본) ... 12
  • 끝페이지 ... 19

표/그림 (10)

참고문헌 (25)

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